纳米折叠InGaN/GaN多量子阱发光二极管

来源 :第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：woshixiaomihu

【摘要】

：

以自组织Ni掩膜制作了高约1um,直径约100-300nm,柱间距约130-300nm的n-GaN纳米柱模板,并利用MOCVD法在纳米柱模板上外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的LED材料,并对其进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的LED材料光致发光(PL)谱强度是常规平面结构的2倍。测试了该外延片上制作的LED的电

【作者】

：

谭小动陈贵锋郝秋艳朱建军刘宗顺赵德刚张书明

【机构】

：

河北工业大学材料学院,天津 300130 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京

【出处】

：

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2010年7期

【关键词】

：

n—GaN 纳米柱光致发光电致发光发光二极管

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