纳米柱相关论文
硅基自组织锗量子点（Ge量子点）因其与互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS）工艺兼容和对应于通讯波段......
AlGaN基LED芯片是新一代固态光源,具有节能、寿命长、用途广泛、波长从深紫外到蓝光波段连续可调等优势,可用于医疗消毒、工业固化......
为了使新型薄膜太阳电池中的ZnO纳米材料衬底具有高的载流子迁移率,提升太阳电池载流子收集率,研究了调控ZnO纳米柱阵列形貌、光学......
半极性（11（?）2）面AlGaN材料作为深紫外发光二极管（UV-LED）有源区材料可以有效抑制传统c面AlGaN的量子限制斯托克斯效应（QCSE）,而AlGaN纳米......
对于薄膜太阳电池,在保证材料电特性前提下,通过合适的光学设计,达到“电薄”而“光厚”的效果,是提高电池效率、最大限度地扩大其......
以自组织Ni掩膜制作了高约1um,直径约100-300nm,柱间距约130-300nm的n-GaN纳米柱模板,并利用MOCVD法在纳米柱模板上外延生长了具有......
热退火条件下图案化的共轭聚合物薄膜的形貌和分子取向研究对于理解在图案化过程中聚合物的纳米形貌与分子取向演变规律以及加深理......
氮化铝(AlN)作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，介电常数小，电子漂移速率较高，导热率高，化学性质稳定等许多优良的特性，是深紫......
本文采用水热法,以SnC l4.5H2O为前驱物,NaOH为矿化剂,在180℃,填充度为68%,通过加入不同量的NaOH,调节溶液pH值分别为2、4、11,合......
美国加州大学的研究人员开发出一种新型太阳能电池技术，这种太阳能电池可通过在铝箔上生长直立的纳米柱来制成，将整个电池封装在透明......
降低表面反射率是提高光学及光电学器件效率的一种重要方法[1,2].因此,我们利用金属催化刻蚀的方法[3]在硅表面制备有序硅纳米......
晶硅基底的反射系数较高，使得入射光的反射率达到40％，严重影响了单晶硅基底的光学及光电学器件的性能，例如太阳能电池、显示器、光......
本文通过在前驱液中添加5％Zr,采用金属有机气相沉积(MOCVD)方法在有IBAD-MgO/LaMnO过渡层的哈氏合金基带上沉积多层有Zr掺杂的G......
光伏电池是一类能够将光能转化电能并加以利用的重要光电器件。对光伏电池的研究主要在于如何提升其光电转换效率,更加高效地实现......
AlGaN材料可以通过调节铝组分使其禁带宽度从3.4eV(GaN)连续变化到6.2 eV(AlN),覆盖了从近紫外到深紫外波段,因此被广泛应用于LED......
本文首先研究了具有通常柱间距(大于100 nm)的纳米柱阵列在近红外波段的光学特性并实现了通过改变阵列参数(如周期)来调制局域表面......
氧化锌纳米柱因其优越的电学和光学特性,被广泛应用在传感、发光、能量存储等领域.高质量氧化锌纳米柱的生长是制备工艺中的关键因......
柱状蛾眼结构光学薄膜良好的减反射性能对于要求工作在较宽光谱的光电器件具有十分重要的意义.本文采用电子束蒸发的方式,通过控制......
纳米柱阵列径向结太阳电池具有高效陷光及载流子径向输运的优势.本文不刻意追求高效前提下,通过实验的相对比较,报道了基于纳米柱......
发光二极管(LED)被誉为新一代的固态光源,但由于半导体材料具有较高的相对折射率,其全内反射效应使得量子阱产生的大部分光无法逃......
以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在100-300nm之间,高度为700nm左右LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和......
本文采用LB(langmuir-blodgett)排布技术制备了大面积高密度的FePt纳米粒子单层膜,利用纳米粒子单层膜作为掩模,通过反应离子......
随着能源危机和环境污染的逐渐加剧,人们对可再生能源的需求也越来越大。太阳能取之不尽,用之不竭,是能源技术领域发展最快的新能......
Ⅲ族氮化物发光材料近年来引起了广泛的关注，以此材料为基础制作的LED和激光器产业正在迅速发展当中。但是其中绿光波段的材料还存......
2008年，铁基高温超导家族的发现重新引起了大家对高温超导体的关注。不同于铜基超导体的铜氧层结构，这个新型高温超导材料是基于铁和......
本论文以ZnO材料为研究对像,以化学气相沉积(CVD)为实验手段,分别对一维ZnO材料的六角截面形成机理、场致电子发射性能和p型薄膜掺......
ZnO是典型的第三代宽带隙半导体,是II-VI族直接带隙半导体,其禁带宽度为3.37e V,室温下激子束缚能高达60me V,远大于室温的热离化......
Ⅲ族氮化物是一种直接带隙半导体材料，拥有诸多优异的物理化学性质，通过改变合金比例，其禁带宽度在0.7eV到6.2eV间连续可调，发光波长可......
相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化......
随着纳米技术的逐渐发展，纳米管、线、柱、棒以及核壳等形状的纳米材料引起了研究学者们的极大关注。另外，他们在新型国防建设、医疗......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以多孔阳极氧化铝为原料,用NaOH溶液进行化学腐蚀,控制适当的条件得到氧化铝纳米柱和纳米柱团簇结构.利用扫描电子显微镜对其结构......
采用直接热蒸发锌粉的方法在硅(001)基底上制备ZnO纳米结构,生长温度分别为550℃和600℃,得到ZnO纳米柱和纳米蝌蚪.XRD和Raman光谱......
提出一种改进的自旋转移矩器件的制备工艺:在电子束曝光形成纳米级图形之后,依次采用离子束刻蚀、带胶绝缘层淀积再正胶剥离的图形......
美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）的研究人员研发出一种新型的纳米柱硅片，可捕捉从肿瘤脱落到血液中的癌细胞——循环肿瘤细胞（CTCs）。这一......
利用水热法制备出与透明导电衬底附着良好的多种纳米结构ZnO薄膜,包括纳米柱阵列、纳米管阵列、纳米片阵列等,方便集成在多种器件......
为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应,增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率......
