【摘 要】
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本实验利用电沉积的方法制备CuS薄膜.研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuS薄膜性质的影响.研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的CuS其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的CuS其主要晶面是(842).当用NaSO作为硫源的时候得到的是单斜的CuS其主要界面是(842),当用硫脲作为硫
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本实验利用电沉积的方法制备Cu<,x>S薄膜.研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备Cu<,x>S薄膜性质的影响.研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的Cu<,x>S薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu<,2>S其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu<,31>S<,16>其主要晶面是(842).当用Na<,2>S<,2>O<,3>作为硫源的时候得到的是单斜的Cu<,31>S<,16>其主要界面是(842),当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的Cu<,2>S其主要界面是(102).随着热处理温度的提高,薄膜的结晶程度有了很大的提高,晶粒有了明显的长大,不同温度的热处理证实了Cu<,x>S薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的.
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利用氢等离子体处理晶化a-Si:H薄膜,对晶化后的样品进行X射线衍谱(XRD)、傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)和Raman散射谱的测试,讨论和比较了薄膜的Raman谱和FT-IR谱中Si-H键合模式随射频功率、退火温度和退火时间的变化情况.
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