电学特性相关论文
成熟度作为衡量水果品质的关键性因素，与水果的采摘、包装、贮藏、运输等作业环节密切相关，也是其产量和质量的决定性因素之一。已有......
碳纤维纸张可作为优良的面状发热材料，若将其作为采暖地板中的电热元件，可实现地板、采暖一体化，具广阔的市场前景，为避免碳纤维纸张在......
氮化镓（GaN）材料由于具有优良的电学特性而受到了广泛的关注，有望在航天工程中获得重要应用。本文首先对GaN材料的特性进行了简要阐述......
随着社会生产的需求,GaN作为宽禁带材料,由于其优异的特性以及无需掺杂就能产生二维电子气的优势,成为高温、高频、大功率微波器件......
采用原子层沉积技术及退火处理工艺制备高阻氧化锌铝（AZO）纳米叠层薄膜。通过原子力显微镜、X射线衍射仪、高阻测试仪对不同退火工艺......
水工结构物经过长时间的服役后,迫切需要有效的结构加固和长期健康监测。以水下固化环氧树脂（Underwater Cured Epoxy Resin,UWEP）为......
随着芯片集成度的不断提高,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）在尺寸缩小的过程中受到短沟道效应的制约,三维MOS器件鳍式栅场效应晶......
在半导体科学领域中,材料和器件的光电特性一直是研究的重点之一,如何对半导体材料或器件进行高精度、高效率的测量也是长久以来研......
21世纪以来,电力电子技术已得到了长久的发展,在电力系统、新能源、信息、远洋运输、太空探索等领域有着较为广泛的应用。然而,由......
学位
随着信息时代和计算机多媒体相关技术的发展进步,人们对大屏幕的显示器件的需求也越来越大。不论是折叠屏手机的问世,还是近百寸显......
应变硅技术是现代半导体的一项关键技术,可以有效提升器件的载流子迁移率以及性能。应变硅技术已大规模应用于先进CMOS工艺中,同时......
学位
天然气水合物沉积物颗粒的粒径、黏土含量以及含水合物饱和度显著影响沉积物的电学和声学物理性质。研究复杂沉积物条件下电学和声......
天然气水合物钻探取样技术复杂且成本高,实物样品极其有限,物理模拟实验成本高且周期长,可模拟的实际条件有限、探测信息较少。岩......
为实现对库尔勒香梨振动损伤的有效检测,选取不同成熟度的库尔勒香梨作为试验材料,选择2 Hz、3 Hz和4 Hz作为试验振动频率,使用电......
本工作采用螺旋波等离子体辅助磁控溅射技术制备了外延ZnO薄膜,结合X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见透射光谱、霍尔测量等多种......
随着工业化和城市化的快速发展,环境污染问题也越来越引起人们的重视,其中环境岩土工程领域的污染问题也受到越来越多学者的关注。......
材料是时代进步的重要标志,不同的材料结构具有不同的物理、化学性质,进而影响材料的功能特性.为了实现材料的最优化设计,常采用交......
基于电学特性的水果无损检测技术可应用于水果品质的定量评价和筛选分级,在果品品质检测方面已有了较多的研究报道.该文基于几种常......
应变硅技术可以提升载流子的迁移率,是提高半导体器件性能的关键技术之一。自1990年代首次实现应变硅MOSFET以来,应变硅技术已被认......
氢能被视为21世纪最具发展潜力的清洁能源,是一种优良的能源载体,其开发与利用是氢动力汽车、氢燃料电池技术发展的关键。等离子体......
SiC材料是一种宽禁带半导体材料,在很多方面具有优良特性,近些年在制备辐射探测器方面开展的研究也越来越多。本文基于厚灵敏区辐......
低温等离子体技术因在医疗灭菌领域具有快速高效和绿色环保的优势备受广大学者的关注。近年来,易粘附细菌的医用导管消毒不力,造成......
学位
碳化硅（Silicon Carbide,SiC）作为第三代半导体的代表,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率和高热导率等特性,是制作功率器件......
金属薄膜电爆炸驱动飞片技术是一种重要的动高压加载技术,以该技术为核心的冲击片雷管已应用于多个武器型号中。但由于现有的金属......
目前,高温超导材料及其相关技术在大科学工程、交通、电力电工、新能源、生物医学、航空航天等领域发挥着重要作用,具有着广阔的应......
学位
利用CT扫描技术建立高分辨率数字岩芯模型,并对其电学、力学等物理特性开展数值化模拟分析工作,这一方法相较传统实验室测量,具有......
等离子体震源通过多电极发射阵进行电声转换,而多气泡动力学对声学特性影响显著,在发射阵的设计中电极间距是关键参数.为此开展了......
随着传统的平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）缩小到20nm以下,栅极氧化物厚度减小,栅极对沟道区域的控制能力减弱。短沟道......
学位
纳米钛酸钡和高分子RMX制成复合材料湿敏元件.本文报道了复合材料湿敏元件的各种电学特性,包括灵敏度,电阻,湿滞,频率特性,电容特......
激光掺杂在没有保护气体的氛围中同样会有氧原子等杂质的引入,从而影响电池的效率.本文是在以N2作为保护气体,对样品进行P掺杂,然......
用inline方式全部近空间升华(CSS,close-space sumlimation)方法制备n-CdS/p-CdTe取得了～11％的转换效率(AMl.5).把其中n-CdS层采用磁......
纳米线的性能强烈依赖于它的结构，包括晶体结构、晶向、直径及内部缺陷等。理解结构与性能的关系是发展基于纳米线的新型纳米器件的......
针对金属氧化物(MOV)在交直流热稳定实验中静态参数变化的问题,本文基于肖特基势垒、线性链老化理论,利用热稳定试验箱以及压敏电......
采用超声喷雾热分解法，在eagle 2000村底上制备出In掺杂znO薄膜(ZnO：In)。通过EDS测量薄膜中[In]/[Zn]原子比、电学特性和结构特性的......
本文从表面等离子激元对叠层电池电学特性影响方面入手，研究了纳米Ag颗粒表面等离子激元对np隧穿结电阻的影响问题。采用20nm微晶n......
电形成工艺是制造表面传导电子发射显示器(SED)的关键步骤，因此研究电形成电压波形对SED电学特性的影响具有重要意义。本文比较了器......
会议
用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结......
利用超声雾化热分解技术(USP),在eagle2000衬底上采用用N-Al共掺法获得了p型Zn1-xMgxO薄膜,在Al掺入比例为0.05时获得了最优的p型Z......
本文总结了强耦合InAs量子点电学特性和GaAs间隔层厚度的关系,用量子点间的非共振隧穿模型给出了完美的解释,并提出了生长柱形量子......
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,本文对沟道层厚度对底栅式In2O3薄膜晶体......
本文采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对4H-SiC (0001)表面进行处理，并进一步研究了氢等离子体处理对SiO2/SiC界面态的影响。X射线......
设计并生长了发光波长1200-1300纳米GaAs基量子点材料,制作了利用ITO透明导电层作为N型电极InAs/GaAs量子点激光器结构,利用金属In......
相比于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从......
相比于传统硅器件,基于氮化镓(GaN)材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)有更大的击穿场强、更快的电子饱和速度和更高的允许工作温度.A......
实验采用溅射和蒸发镀膜工艺,制备了一种新型的Al/CuPc/Cu三明治结构NO2气敏传感器。这种器件对NO2气体具有较高的敏感性,制备工艺......
本文采用三步共蒸发方法，在不锈钢衬底上低衬底温度生长不同厚度的多晶CIGS薄膜，利用台阶仪、X射线荧光光谱(XRF)表征薄膜的厚度、成......
利用二维器件模拟器MEDICI，模拟分析了6掺杂层的杂质分布与应变Si NMODFET电学特性的关系。结果表明，在掺杂剂量一定的情况下，对于均......
本文以Sr2Mn3Sb2O2型层状化合物Sr2AO2M2Se2(A=Co,Mn;M=Cu,Ag)为研究对象,系统研究了化合物的结构类型,MX层中空位的形成特点及原......
