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通过在橡胶表面沉积C-DLC 膜层以达到耐磨性能的提高,是保证密封质量的重要研究课题。本文采用闭合场非平衡磁控溅射(CFUBMS)方法,利用一对石墨磁控靶作为碳源和离化源,在丁腈橡胶表面沉积C-DLC 膜的正交试验,分别研究了平均摩擦因数和极差图随磁控靶电流、沉积气压、C2H2/Ar 气体流量比、脉冲偏压和偏压占空比等工艺参数的变化趋势。