脉冲偏压相关论文
等离子渗氮技术作为表面改性技术被广泛应用于材料表面改性领域。316L奥氏体不锈钢及M2高速钢均在各自的应用领域发挥着至关重要的......
利用脉冲偏压阴极弧离子蒸发沉积技术在不同占空比条件下制备了(Ti,Al)N硬质薄膜,阴极弧TiAl合金靶的原子比为1∶1,使用XRD、显微......
采用自选开发研制磁增强活性反应离子镀(ME-ARE)系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏......
采用多弧离子镀和磁控溅射相结合的复合离子镀技术在基体表面制备(Ti,Cu)N薄膜样品,利用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射仪(XRD),台......
采用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃和硅衬底上制备出了具有择优取向的透明ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及紫外。可见......
奥氏体不锈钢因其良好的抗腐蚀性,广泛适用于对抗腐蚀性具有强烈要求的工业领域,特别是在潮湿环境中.然而,糟糕的摩擦学性能(低硬......
常压射频等离子体对反应性气体裂解效率高,辅以脉冲或者偏压调制,可以较好的调控沉积薄膜的结构形貌,由于沉积温度较低,在有机......
In the research of bio-molecular chips and sensors,extra electric biases are most often employed to control and manipula......
采用磁控溅射离子镀膜技术在贫铀表面制备金属镍镀层，利用X 射线衍射技术、电子扫描显微观察研究了镍镀层在不同阴极偏压下的组......
通过在橡胶表面沉积C-DLC 膜层以达到耐磨性能的提高，是保证密封质量的重要研究课题。本文采用闭合场非平衡磁控溅射(CFUBMS)方......
用脉冲偏压电弧离子镀通过控制不同的氮流量在(100)单晶Si基片上制备了不同成分的CNx薄膜.用光学显微镜,XPS,XRD,激光Raman和Nanoi......
本文利用电弧离子镀技术,施加不同脉冲偏压,在玻璃基体上沉积了N掺杂TiO2薄膜。研究了基体偏压和热处理对薄膜结构、光吸收性能及......
采用高功率脉冲磁控溅射技术在镁合金表面制备了Ta(N)/Ti-Si多层膜,通过场发射扫描电镜、原子力显微镜分别观察了薄膜的断面及表面......
利用脉冲偏压电弧离子镀在高速钢和Si基体上沉积锆基三元氮化物薄膜Zr-Me-N(Me=Al,Cr,Cu).采用EPMA、XRD、SEM、接触角、纳米压痕......
利用脉冲偏压电弧离子镀设备调控分离靶弧流,在高速钢和Si基体上沉积了不同铜含量的Zr-Cu-N薄膜.采用EPMA、XRD、纳米压痕以及摩擦......
本文对脉冲偏压电弧离子镀基础问题进行了研究。结果表明，把脉冲偏压引入电弧离子镀工艺保持了其原有的高离化率、高沉积速率、成膜......
本文致力于集中探讨脉冲偏压电弧离子镀技术各种表观行为下的深层本质和作用机制，并在此基础上论述其发展走向和取得新进展的可......
薄膜的多层化已成为提高涂层强韧性的重要手段,超硬、强韧和抗高温氧化是先进涂层所必有的性能特征.该文描述了过滤电弧装置的特征......
基体沉积温度是离子镀工艺中影响薄膜性能和限制可镀基体范围的最重要参数之一。与传统的以直流负偏压为基础的电弧离子镀(direct ......
本文对脉冲偏压电弧离子镀(TiMe)N多元复合硬质薄膜进行了研究,选用电负性与Ti元素存在不同程度差异的过渡金属Nb、Cr、Zr作为添加......
多弧离子镀是物理气相沉积中最常用的技术之一，具有高离化率、高沉积率的特点，因此成为现代高端机械加工业应用最广泛的表面强化手段......
多弧离子镀是利用阴极电弧放电蒸发源的一种离子镀技术,具有离化率高、离子能量高、沉积速率快、膜层性能好等优点。但是由于阴极......
学位
本文阐述了一种高能高压脉冲电源电路，特别适用于高功率高电压窄脉冲(占空比为0-10％)输出的电源。本文所述电路的特点是去掉了传......
多功能离子镀是物理气相沉积技术中比较理想的工艺方法之一,多功能离子镀膜机具有多弧离子镀膜、偏压自辉清洗和脉冲偏压辅助沉积......
在本文中,我们利用真空阴极弧沉积技术分别对Ti-Al-N,ZrN/Zr-Ti-N薄膜进行了制备与研究。
利用TiAl混合靶放电制备了TiAlN薄......
MgO薄膜作为理想的保护层材料已经广泛应用于等离子显示技术中，其具有抗溅射、高的真空二次电子发射系数、可见光区透过率高等特点......
脉冲偏压真空电弧离子镀技术具有瞬间能量密度高、平均能量密度低的特点，与传统的直流偏压技术相比，不仅在低温下可制备致密的薄膜，还......
宏观颗粒是阻碍电弧离子镀广泛应用的障碍.它们镶嵌在膜层中,或散布在膜层表面.引起薄膜微区成分和结构的突变,对于工具镀来讲不一......
采用离子束辅助电弧离子镀技术在高速钢基体上制备TiN/Cu纳米复合薄膜,考察了基体脉冲负偏压对薄膜成分、结构及硬度的影响。用X射......
用扫描电子显微镜观察了电弧离子镀中各种不同偏压模式 :不加偏压、加不同直流偏压和加幅值相同但占空比不同的脉冲偏压情况下获得......
采用磁控溅射离子镀技术在贫铀表面以不同基片偏压与不同氩分压制备铝镀层,利用扫描电镜分析了镀层的表面和界面形貌,利用俄歇电子......
利用脉冲偏压磁过滤电弧离子镀在高速钢(M2)基底上沉积了厚约2.5μm的TiN薄膜;分别采用FESEM、GDOES、XRD和划痕试验法观察薄膜表......
脉冲偏压电弧离子镀的成膜过程远离热力学平衡态,与直流偏压电弧离子镀相比,具有成膜温度低、薄膜质量好和应力低等优点.从大颗粒......
由于直流偏压方法沉积金刚石薄膜易出现电荷积聚现象,从而影响了薄膜的均匀性.本文采用脉冲负偏压增强热丝化学气相沉积(HFCVD)法,......
采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜 .通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压 ,增强了立方氮化硼......
采用脉冲偏压电弧离子沉积技术在玻璃基片上制备了透明的、具有择优取向的MgO薄膜。针对绝缘性薄膜表面的荷电效应,比较了脉冲偏压......
采用电弧离子镀方法,在Si(100)基底上沉积了类金刚石(DLC)膜.用激光Raman谱和X射线光电子能谱(XPS)对不同偏压下沉积的类金刚石膜......
采用脉冲偏压电弧离子镀方法在高速钢基体上沉积Ti/TiN纳米多层薄膜,采用正交实验法设计脉冲偏压电参数,考察脉冲偏压对Ti/TiN纳米......
针对直流脉冲负偏压对PVD涂层形成过程和熔滴造成很大影响的问题,通过施加脉冲偏压有利于实现低温沉积.研究发现,沉积速率随直流脉......
为了研究薄膜的生长过程对薄膜结构和性能的影响并促进该类薄膜的商业应用,利用电弧离子镀在不同脉冲负偏压下沉积了TiN-Cu复合膜,......
用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃基片上制备均匀透明的氧化钛薄膜，通过改变脉冲偏压幅值，考察其对氧化钛薄膜性能的影响。结果表明，沉......
用正交设计实验研究了电弧离子镀技术中采用脉冲偏压以后各种参数对沉积TiN薄膜性能的影响．研究表明，与直流偏压相比，直流叠加脉冲偏......
为了研究在铝合金上硬质膜的性能,促进硬质TiN膜在铝合金构件上的应用,利用电弧离子镀在7075铝合金上沉积TiN膜层,并通过改变脉冲......
Experimental Verification of the Physical Model for Droplet-Particles Cleaning in Pulsed Bias Arc Io
It has been reported that application of pulsed biases in arc ion plating could effectively eliminate droplet particles.......
Effect of Sample Configuration on Droplet-Particles of TiN Films Deposited by Pulse Biased Arc Ion P
Orthogonal experiments are used to design the pulsed bias related parameters,including bias magnitude, duty cycle and pu......
