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本文主要对Zn沟道注入和随机注入对GaN造成的辐射损伤以及辐射损伤注入剂量的变化进行了分析和比较.结果表明,随机注入造成的辐照损伤比沟道注入严重.
Zn离子注入在GaN中的辐照损伤
【摘 要】
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本文主要对Zn沟道注入和随机注入对GaN造成的辐射损伤以及辐射损伤注入剂量的变化进行了分析和比较.结果表明,随机注入造成的辐照损伤比沟道注入严重.
【机 构】
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北京大学技术物理系(北京)InstituutvoorKern-enStralingsfysica,CatholicUniversityofLeuven,Celestijnenlaan200D,B-30
【出 处】
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2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议
【发表日期】
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2004年8期
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