【摘 要】
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为了减少发光量子阱区的缺陷，缓解量子阱区的应力，减小极化效应，提高量子阱结晶质量，降低效率衰减，提高发光效率，本文采用了n-AlInGaN作为CART中的垒的新型LED结构，实验数据表明，由于Si的掺杂，采用n-AlInGaN作为垒层没有造成正向工作电压的提高，原子力显微镜结果显示，用n-AlInGaN作为CART中的垒能有效的截止底层产生的刃型位错。由于极化作用的减小，发现器件的发光效率得到了提
【机 构】
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HC Semitek Corporation,Wuhan 430223,China 华灿光电股份有
【出 处】
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第十三届全国LED产业发展与技术研讨会
论文部分内容阅读
为了减少发光量子阱区的缺陷，缓解量子阱区的应力，减小极化效应，提高量子阱结晶质量，降低效率衰减，提高发光效率，本文采用了n-AlInGaN作为CART中的垒的新型LED结构，实验数据表明，由于Si的掺杂，采用n-AlInGaN作为垒层没有造成正向工作电压的提高，原子力显微镜结果显示，用n-AlInGaN作为CART中的垒能有效的截止底层产生的刃型位错。由于极化作用的减小，发现器件的发光效率得到了提高，同时效率的衰减也明显减小；通过抗静电测试发现，该垒层同时还起到了电流扩展层的作用，有效的提高了器件的抗静电能力。
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