微电子器件相关论文
微电子器件的迅速发展对TiN电极薄膜电阻率、表面粗糙度以及厚度均匀性均提出了更高的要求。本文采用半导体工艺兼容的反应磁控溅......
随着微电子技术进入后摩尔时代,集成电路专业的研究生不仅要掌握现行的硅基微电子技术,还要能够应对行业未来的重大技术变革,引领......
由于YBa2Cu3O7-x(YBCO)高温超导薄膜具备优异的电学性能,用其制作的高温超导微波无源器件具有体积小、重量轻、损耗低、噪声小、低......
本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较......
8月9日出版的最新一期《科学》杂志上,中国科学家的半浮栅晶体管(SFGT)研发成果引起世界关注,因为它有望让电子芯片的性能实现突破......
随着摩尔定律的不断推进,集成电路产业迎来了巨大发展机遇的同时,也面临着前所未有的发展瓶颈和技术挑战.论文围绕创新的微纳集成......
随着社会的发展,微电子器件被各行各业广泛应用。然而,在运输、使用过程中,微电子器件不可避免地会受到各种各样的硬碰撞、高强度......
随着军用民用半导体器件和高速大容量计算机的快速发展,自1960年以来每个芯片上的元件数从10~2增到10~6。这造成了芯片上的热流密......
<正> 时代的列车飞速地向文明社会驶去.20年前,我们不可思议的彩电、冰箱、录相机等家用电器现在已进入了家家户户,微型计算机已被......
杭尼威耳公司技术中心的一个研究小组,将光发射器和检波器制作在蚀刻的沟道中,从而验证了将光学元件和集成电路制备到同一块半导......
陶瓷材料的基本特性决定于它的化学组成和显微结构。国内,在电真空器件、半导体器件与微电子器件的技术应用方面,对瓷体的主成份......
现代的微电子器件,在重掺杂的硅材料上的自对准结构中采用过渡金属。在硅化物生成期间或生成之后的热处理可能使作基础的硅层中的......
六方氮化硼(h-BN)因其优异的性能和潜在的应用前景而受到广泛关注.着眼于h-BN在微电子器件领域中的发展与应用,总结了近年来国内外......
随着半导体技术的飞速发展,传统的SiO2无法克服由MOSFET器件特征尺寸的不断缩小所带来的量子隧穿效应的影响,从而极大地制约了微电......
本文提出一种新的用于 CMOS图像传感器像素的光电检测器——双极结型光栅晶体管。由于引入 p+ n注入结 ,光电荷的读出速率大大增加......
Intel科学家Packan曾指出:若继续按照Moore定律缩小芯片的尺寸并同时提高其性能,高集成度芯片工作时产生的焦耳热会使芯片很快达到......
纳米SiO2是无定型白色粉末(指其团聚体)，表面存在不饱和的残键及不同键合状态的羟基，其分子状态呈三维网状结构。这种特殊的结构使纳......
随着纳米技术、微电子技术的飞速发展,器件的尺寸进入了微／纳米尺度。微／纳器件形成微／纳机电系统(MEMS)的同时,也带来微／纳器件界面传......
随着微电子技术的飞速发展,微电子器件特征尺寸已经缩小至纳米量级,器件的散热性能对其运行状态有很大的影响。对于纳米尺度的结构......
微电子封装工业中关键的一环在于流体点胶技术,点胶速度、质量和操作性能影响着封装产业的发展。随着微电子产品往尺寸更小、性能......
印刷电子技术是基于传统印刷原理的电子制造技术，喷墨印刷作为目前最主要的无版数字化印刷电子技术，可直接在基材上进行功能材料的图......
基于环境振动能的微型振动能量收集器已成为解决各种超低功耗微电子器件与系统微电源的使能技术,如何进一步提高微型能量收集器输......
由于纳米技术的发展,目前已经制备一系列可能用于微电子器件中的纳米材料。器件的小型化,薄膜的尺寸已经进入到十几个纳米范围,当......
神经科学是当今世界科学研究的热门领域之一。蓬勃发展的信息技术为神经科学的进步提供了强大技术支持。借助于先进的微电子制造技......
磁耦合谐振式无线电能传输(Wireless Power Transfer)技术是一种无需导体线直接相连的电能传输技术,相比于有线电能传输,具有安全......
学位
随着传感技术的发展,传感系统在监测物理参数如温度、湿度和机械压力等应用中越来越重要。如果进入这个系统内部很困难,那么电池的......
原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)基于其自限制性,可以制备出均匀性好,厚度尺寸精确可控的薄膜。氧化物薄膜具有优良......
本论文的目的就是研究生物体接触用硅集成电路衬底材料的改性及其生物相容性。为了增加海马神经元在以硅为基底的微电子器件表面的......
微电子器件在快速发展,器件的性能不断完善,集成度不断提高,随着超大规模集成电路的特征线宽不断减小,导致信号传输延时、功耗增大......
随着微电子技术与产业的发展,微电子器件变得越来越小型化与集成化。因此,在微电子器件中,特别是在动态随机存储器（DRAM）中,高介电常......
介电材料是利用材料的介电性质来制造微电子器件的电子材料,主要在大容量的电容器和小型化的存储器等微电子器件方面有巨大的应用......
新华网消息，中国研究人员近日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体......
2013年8月9日，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管（ SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学......
美军标 MIL－ STD－ 883(以下简称 883，原名微电子器件试验方法和程序 )自 1968年问世以来，对微电子器件可靠性的提高起着重要的作用。 ......
本文介绍的激光光声诊断方法是一种非破坏性的检测质量的方法,采用此方法可以使电子和微电子器件的封装工艺条件得到优化.......
预计在未来10到20年,微电子器件抗辐射加固的重点发展技术是:抗辐射加固新技术和新方法研究:新材料和先进器件结构辐射效应;多器件......
一、概述恒定加速度试验是用来确定恒定加速度对微电子器件的影响,目的是显示在冲击试验和振动试验时不一定能检测出的结构和机械......
AlN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在制作大功率微电......
【摘 要】一般而言，薄栅氧MOS器件、场效应器件和浅结、细条、细间距的双极器件的抗静电放电能力更弱。在微电子器件及电子产品的生......
IEC61000-4-2标准探讨随着科学技术的发展,静电已经远远不是物理范畴原来的物理含义.静电在石化、电报装置,各个领域造成易燃易爆......
