【摘 要】
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砷锗镉(CdGeAs2)晶体是一种II-IV-V2族三元黄铜矿结构化合物半导体,熔点约为662℃,是已知非线性光学系数最大(d36=236pm/V)的一种红外非线性光学晶体材料,并具有红外透过范围
【基金项目】
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国家自然科学基金重点项目(50732005);863计划课题(2007AA03Z443)
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砷锗镉(CdGeAs2)晶体是一种II-IV-V2族三元黄铜矿结构化合物半导体,熔点约为662℃,是已知非线性光学系数最大(d36=236pm/V)的一种红外非线性光学晶体材料,并具有红外透过范围宽(2.3～18μm),热导率(42-93mW/cm·k)大,满足相位匹配的双折射系数(ne-no～0.09)等优异性能。因此,可用于制作倍频、混频和宽带可调红外参量振荡等器件,在红外遥测、激光制导、激光通讯、激光化学、红外医学和环境科学等领域具有广泛应用前景。
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