【摘 要】
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修正了Jianjun Gao等人提出的PHEMT噪声参量提取原理[1]的部分内容,用链式噪声相关矩阵分析了源漏寄生电容C对本征场效应管的四个噪声参数的影响,完整地给出了包含L、L、R、L
【出 处】
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中国电子学会微波学会第五届全国毫米波亚毫米波学术会议
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修正了Jianjun Gao等人提出的PHEMT噪声参量提取原理[1]的部分内容,用链式噪声相关矩阵分析了源漏寄生电容C<,ds>对本征场效应管的四个噪声参数的影响,完整地给出了包含L<,s>、L<,g>、R<,d>、L<,d>、C<,pg>、C<,pd>、C<,pgd>的PHEMT的链式噪声相关矩阵,进一步完善了该噪声参量提取原理.
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