肖特基势垒高度相关论文
在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试......
以建立在能量守恒定律描述异质结的内光电流与光子能量之间的关系为研究点,运用一个可调节三参数方程对这种关系进行表征,异质结的......
肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性。在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)......
通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接......
Ge材料由于在近红外波段具有较大的吸收系数、高的载流子迁移率、以及与Si工艺相兼容等优势而被视为制备近红外光电探测器最理想的......
采用I-V法研究了AlGaN/GaN HEMT在300 K～475K温度范围内，Ni/Au栅极肖特基接触的正向电流输运特性及失效机理。基于对热电子发射......
基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)是微波,大功率应用的优秀之选。但由于存在应变的AlGaN/GaN异质结极化效应较大,其肖特基接触......
该文利用自主开发的蒙特卡洛器件模拟软件，对沟长为50nm的肖特基隧穿晶体管(SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟，得到了明显的开关......
采用超高真空气相沉积系统外延硒(Se)超薄层钝化Si(100)表面,研究其与金属铝(Al)、铂(Pt)的接触特性.对于A1与Se钝化后的Si接触样......
随着MOSFET特征尺寸进入20nm技术节点，接触电阻将成为源漏寄生电阻的主要部分，而后栅工艺的采用对硅化物的耐高温特性提出了高的要求......
该文扼要地介绍了SBTT的工作原理.通过使用蒙特卡罗器件模拟软件模拟了SBTT的特性.在实际的模拟过程中,使用了全能带描述能带结构,......
用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜.在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA)......
用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-x Gex薄膜。溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17%,即Si0.83Ge0.17。样品......
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性.将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验......
在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品......
通过在硅(100)衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm)双金属层在不同退火温度下的固相反应,在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜.在低温下,用......
采用超高真空气相沉积系统外延硒（Se)超薄层钝化Si(100)表面，研究其与金属铝（A1)、铂（Pt)的接触特性。对于A1与Se钝化后的Si接触样品，其......
设计并制备了基于石墨烯/n型硅肖特基结的光电探测器,并从能带角度研究和分析了其I-V及C-V特性.结果表明,石墨烯/氮化硅/硅(金属-......
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验......
使用分子束外延（MBE）技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAs Schottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术（ALD） ......
通过对硅（100）衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm）双金属层在不同退火温度下的固相反应，在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜，在低温下，用弹道子......
从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结。首先,分析了插入界面层的......
用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理（RTA）,......
为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用......
目前,超大规模集成电路（VLSI）已发展到每单片上制造100,000个以上元件的集成度,对这种电路除了要求新的电路设计、新的器件结构与工......
以SiC和ZnO等为代表的第三代宽禁带半导体材料由于具有禁带宽度大、化学稳定性好、导热性能强等优点,在下一代高温、高频、大功率......
本文从金属与半导体接触势垒的角度出发，以聚乙烯亚胺（PEI）作为界面修饰层对基体材料TiO2和Zr0.2Ti0.8O2薄膜进行表面修饰，详细研究了......
在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基......
本文针对石墨烯/硅肖特基结光电探测器进行了研究,完成了器件的制备和测试,从能带角度研究了器件的I-V、C-V特性、石墨烯/氮化硅/......
本文研究了氧化物压敏陶瓷晶界特性与宏观电性能的关系，取得了如下成果：1、测试分析了电负荷历史对氧化锌压敏陶瓷样品的端电容量的......
金属一半导体接触(欧姆接触和肖特基接触)是所有半导体电子器件和光电子器件的核心结构之一。随着半导体器件的尺寸越来越小,尤其......
GaN半导体材料的禁带宽度为3.45eV,属于宽禁带半导体材料,另外GaN的电子饱和速度很高,同时其导热性能良好,这使得GaN材料在微波大......
作为第三代半导体材料,SiC具有宽禁带、高临界击穿场强、高热导率等优异的物理性质,在高温、大功率、高频电子器件中得到广泛关注......
紫外探测作为一种具有实用和应用前景的新兴探测技术，已经在天文、光波通信、环境监测、成像技术、火焰传感以及未来的储能和光电集......
锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料。然而金......
当集成电路工艺特征尺寸到达45nm节点及以下时,铜互连工艺中的RC延迟因受尺寸缩小规则影响而迅速增大,并由此对半导体器件的速度及......
为了利用热电流准确得到异质结的本征肖特基势垒高度,从能量等价吸收(转换)角度出发,将Fowler给出的描述金属光电流产额与入射光频......
