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单斜相BiVO4晶体的禁带宽度为2.4eV,可以响应可见光,是新型高效的催化材料.本研究以Bi(NO3)3·5H2O和NaVO3为原料,三正辛胺和正辛酸为相转移催化剂,选取不同表面活性剂,采用溶剂热法制备得到纳米级单斜相BiVO4晶体.
m-BiVO4纳米晶体的制备及光催化性能研究
【摘 要】
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单斜相BiVO4晶体的禁带宽度为2.4eV,可以响应可见光,是新型高效的催化材料.本研究以Bi(NO3)3·5H2O和NaVO3为原料,三正辛胺和正辛酸为相转移催化剂,选取不同表面活性剂,
【机 构】
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上海大学先进节能材料课题组,上海200444
【出 处】
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中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
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2016年期
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