VLS生长机理相关论文
纳米材料的预测和设计是纳米科学与技术领域的长期梦想,该梦想的实现有赖于对生长机理的深刻理解。基于前期研究中揭示的相平衡......
本实验采用催化辅助化学气相沉积技术制备了ZnO纳米线阵列体系,研究了工艺条件对ZnO纳米线阵列的生长的影响,并讨论了ZnO纳米线阵......
一维纳米材料由于其结构新颖、性能优异和前景广阔,受到人们的高度重视,其相关研究已成为充满竞争、挑战和机遇的前沿领域,其中,纳......
采用热蒸发硅的方法,于1650℃反应不同的时间,在聚丙烯腈(PAN)碳纤维上原位生长碳化硅纳米线。通过X射线衍射,场发射扫描电镜及透射......
在1500℃、1600℃、1650℃和1750℃氩气中保温3 h,使Fe-Si在石墨基板上熔化并敷展,分别在熔层表面获得SiC颗粒层、SiC颗粒与晶须混......
讨论SiC晶须生长的主要过程;晶核的生成、基晶的形成及晶须的生长....