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采用高纯Si粉作为起始原料，通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片.通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含量以及流延工艺过程，制备出厚度可控的Si膜.进一步氮化得到微结构均匀的氮化硅素坯.通过气压烧结制备出氮化硅陶瓷基片，热导率达到76 W/m·K.
高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究
【摘 要】
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采用高纯Si粉作为起始原料，通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片.通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含量以及流延工艺过程，制备出厚度可控的Si膜.进
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050
【出 处】
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全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会
【发表日期】
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2016年期
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