氮化硅相关论文
利用DLP技术成功制备出两种氮化硅陶瓷点阵结构：以Gyroid为代表的TPMS结构和以Octet truss为代表的桁架结构。以试样的准静态单轴压......
氮化硅陶瓷性能优异，然而由于其共价键较强，自扩散系数低，烧结难度较大。目前高性能氮化硅陶瓷主要通过高温气压烧结来制备，烧结温度在......
采用超声波雾化进样,ICP—AES法对氮化硅中十三种杂质元素的测定进行了试验研究。取样量1g时,铝、钙、钴、铬、铜,铒、铁、镁、锰,......
通过丙烯酸铵在氮化硅悬浮液中的聚合反应对氮化硅粉体进行了表面改性,改善了氮化硅粉体在水中的分散特性,配制了50vol%的浓悬浮液......
基于密度泛函理论的第一性原理方法，计算了α-Si3N4和β-Si3N4的晶体结构、电子结构、光学性质和声子谱，并对结果进行了理论分析.计......
氮化硅（Si3N4）陶瓷作为一种综合性能优良的陶瓷材料,具有耐高温、耐腐蚀、高硬度、高强度和低介电常数等特点,在航空航天、生物医疗......
氮化硅是综合性能优异的结构陶瓷材料，而脆性依然是制约其应用的短板。引入延性金属颗粒被认为是改善陶瓷脆性的重要方法之一。近年......
采用金刚石涂层刀具对预烧结氮化硅Si3N4陶瓷坯体进行干铣削加工，研究了切削参数对切削力的影响规律，探究了Si3N4陶瓷坯体加工表面崩......
氮化硅陶瓷因其具备优异的力学、热学、生物学特性而成为最具应用前景的先进陶瓷材料。论述了氮化硅陶瓷制备工艺中最关键的烧结技......
以SiC、硅粉、SiO2等为原料，通过反应烧结制备Si3N4–SiC陶瓷样品，并进行高温氧化，研究了高温氧化前后的结构与力学性能。结果表明：高......
以α- Si3N4粉末为原料，Y2O3和MgAl2O4体系为烧结助剂，采用无压烧结方式，研究了烧结温度、保温时间、烧结助剂含量以及各组分配比对氮......
氮化硅（Si3N4）具有高强度、高导热、优异的力学性能和抗热震性,在功率半导体散热领域受到广泛关注,特别是在新能源汽车的IGBT模块中......
随着集成电路和半导体行业的快速发展，具有优异机械性能和热物理性能的氮化硅陶瓷成为芯片基板的重要候选材料。然而商业氮化硅陶瓷......
为提高聚四氟乙烯（PTFE）涂层高温耐磨损性能，以纳米氮化硼和纳米氮化硅颗粒为增强剂，聚酰胺酰亚胺（PAI）为粘结剂，制备了PTFE复合涂层，研究......
聚四氟乙烯（PTFE）在减摩材料领域应用广泛，但其较差的耐磨性限制了其应用。纳米材料改性是改善PTFE耐磨性的一种有效方法，而氮化硅（Si3N......
光学滤波器是密集波分复用系统的重要组成部分,可以广泛应用于光通信和微波光子方向,提高信道的通信能力。光学滤波器的滤波原理主......
氮化硅具有强度高、耐高温、耐腐耐磨、抗热震、抗氧化等优良性能，被广泛应用于耐火材料、冶金及航天等领域。催化氮化法是在硅粉氮......
氮化硅陶瓷刀具由于其优良的机械、化学性能而在高速切削领域得到了广泛关注。但目前,氮化硅陶瓷刀具仍面临一些问题,如性能仍不够......
以α-Si3N4粉末为原料，Y2O3和MgAl2O4体系为烧结助剂，采用无压烧结方式，研究了烧结温度、保温时间、烧结助剂含量以及各组分配比对氮......
直接凝固注模成型（ｄｉｒｅｃｔｃｏａｇｕｌａｔｉｏｎｃａｓｔｉｎｇ，ＤＣＣ）是一种崭新的（准）净尺寸陶瓷成型方法。本文报道了采用此法成型Ｓｉ３Ｎ４及ＳｉＣ陶瓷的基本原理和工艺过程。ＤＣＣ成型工艺过程为把高固......
以硅粉作为反应原料，在N2气氛中通过燃耗合成制备Si3N4粉体。为获得烧结活性好的高α相Si3N4粉体，在燃烧合成过程中需要加入一定比例......
固态纳米孔的高可靠性和高灵敏度,使其成为下一代测序技术的主要载体。研究小尺度固态纳米孔的精密制造有助于推进生物检测技术的......
多孔氮化硅陶瓷兼具有高气孔率和陶瓷的优异性能，在吸声减震、过滤等领域具有非常广泛的应用。然而，目前常规的制备方法如气压/常压......
以氮化硅为原料,以叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型工艺,在无压烧结温度1 780℃、保温时间1.5 h、流动氮气气氛下,成功制备出具有高......
固态纳米孔具有孔径可调、耐酸碱性好、高温条件下结构稳定和与半导体制造工艺兼容等优点,在纳米流体领域具有广泛的应用前景,尤其......
随着冶金工业、航空工业及其他高温工业的快速发展,对氮化硅结合碳化硅耐火材料的性能也提出了更高的要求。本文针对发电厂燃烧喷......
聚四氟乙烯（PTFE）具有化学性能稳定、耐高低温、自润滑性能好和摩擦系数极低的特点,是目前新型的工程塑料,但是由于耐磨性较差限制了......
波导型光探测器是片上光互连系统的核心器件之一,其探测速度决定了片上光互连系统响应速度的上限。石墨烯是已知载流子迁移率最高......
随着科技进步,人们生活水平不断提高,人类寿命的延长和人口老龄化现象加重,骨质疏松以及由疾病、创伤所引发的骨组织损伤受到越来......
为改善氮化硅陶瓷的热导率和抗热震性能，以d50=0.5 μm的α-Si3N4为原料，AlN(d50=1 μm)为添加剂，Y2O3和MgO(d50=5 μm，d50=10 μm)为......
锌铝合金因其较好的的力学性能、耐磨性能和低成本,被广泛应用于轴承、轴套、轴瓦等耐磨密封件。当代航空、高铁、航母和汽车等各......
氮化硅陶瓷以其优异的力学性能和介电性能成为一种极具发展潜力的无机材料,以传统稀土氧化物为烧结助剂的氮化硅陶瓷所需烧结温度......
在近些年中,硅基光电子器件在通信领域上很受人们的欢迎,其中全光开关在光互连和光通信网络上发挥着重要的作用。由于具有光控制光......
对于半导体领域、微波通信领域和航天航空领域而言,材料的低介电损耗、优异的力学性能和良好的抗热冲击性是重要的条件,氮化硅（Si3N......
近年来,伴随着全球通信网络中数据流量的指数型增长,对高速数据传送的需求也日益强烈,光通信技术因其容量大、低成本、速度快且不......
本文研究了不同温度下氮化硅粉体的氧化行为。选取初始氧含量为1.21wt%的氮化硅粉体,在流动的空气中,573 K-1273 K下进行不同温度......
氮化硅平台阵列波导光栅(AWG)波分(解)复用器具有损耗低、集成度高、温度敏感性低等优势.基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)......
氮化硅(Si3N4)具有优异的物化性能,在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位.高质量粉体是制备高性能Si3N4陶瓷的首要前提.通......
采用活性金属钎焊技术制备Cu/Si3N4/Cu陶瓷覆铜板,在-65～150℃温度条件下经历500次温度循环后,基板无裂纹、翘起、起皮等缺陷.对基......
研究了自蔓延燃烧合成Si3N4粉的氧化处理（在空气气氛中分别于400、600、800℃保温3 h）以及添加的分散剂种类（分别为聚丙烯酸钠、六偏......
本文以α-Si3N4粉为原料,含量为10％的Y203和Al203为烧结助剂,成功地在空气气氛炉中对氮化硅样品进行了烧结,研究了烧结温度、保温时......
介绍了碳热还原法生产氮化硅粉体的机理及产出氮化硅陶瓷的特点,并对其研究方向进行了展望.氮化硅(Si3N4)具有高强度、高硬度、耐......
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明, 在氮化硅淀积工艺中, NH3和SiH2Cl2......
以YbH2-MgO体系为烧结助剂,采用两步法烧结制备了高热导率高强度氮化硅陶瓷,研究了YbH2-MgO对氮化硅致密化行为、相组成、微观形貌......
近几年来,航空航天技术发展迅速,各国对天线和电磁干扰系统的研究越来越深入,天线窗天线罩透波材料在军事和商业领域成为各国研究......
本文研究了氮化硅α→β相变的诸影响因素。发现 Y2O3添加剂具有最显著的相变促进作用,而 La2O3添加剂促进相变的作用最小,但后者......
