【摘 要】
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Al2O3 是一种宽带隙、高介电常数(high-k)的氧化物,常作为薄膜晶体管(ThinFilm Transistors,TFTs)中的栅极绝缘层.其主要制备工艺有阳极氧化法、PECVD、溶胶-凝胶 法等,通常需要进行高温 处理.本研究将通过对 Al2O3 陶瓷靶进行射频磁控溅射(RF magnetron sputtering)的方法,在室温下制备绝缘性能良好的 Al2O3 薄膜,并通过 X射线
【机 构】
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高分子光电材料与器件研究所,发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学,广东 广州,510640
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Al2O3 是一种宽带隙、高介电常数(high-k)的氧化物,常作为薄膜晶体管(ThinFilm Transistors,TFTs)中的栅极绝缘层.其主要制备工艺有阳极氧化法、PECVD、溶胶-凝胶 法等,通常需要进行高温 处理.本研究将通过对 Al2O3 陶瓷靶进行射频磁控溅射(RF magnetron sputtering)的方法,在室温下制备绝缘性能良好的 Al2O3 薄膜,并通过 X射线 反射(X-ray reflectivity,XRR)、紫外可见吸收光谱(UV-VIS)、X 射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)等方法表征其特性.根据测试的结果,发现在溅射功率为 120W、溅 射气压为 1mTorr 的纯 Ar 环境下,可以沉积得到厚度均匀、表面光滑、高密度(3.21g/cm3)、高介电常数(>8.5)、高击穿电压(>30V)的 Al2O3 介电薄膜.并以其作为绝缘层制备了迁 移率为 6.85cm2·V-1·S-1、开关比约 105 的 TFT 器件.
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