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由于非晶氧化物半导体薄膜具有高迁移率和透过率,它作为沟道层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT)[1,2,3].本论文研究了非晶IGZO沟道层厚度对薄膜晶体管(TFT)的特性的影响.利用磁控溅射方法制备了器件的沟道层和源漏电极,通过改变溅射时间来控制有源层和电极的厚度.
非晶IGZO-TFI的制备与特性研究
【摘 要】
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由于非晶氧化物半导体薄膜具有高迁移率和透过率,它作为沟道层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT)[1,2,3].本论文研究了非晶IGZO沟道层厚度对薄膜晶体管(TFT)的特性的影响.利用磁
【机 构】
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山东大学(威海),空间科学与物理学院,山东威海,264209
【出 处】
：
中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年期
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