高迁移率相关论文
与无定型薄膜相比,有机晶体具有稳定的热力学形态,高度有序的分子堆积结构,较低的杂质和缺陷含量,通常表现出优异的光电性能。但是......
苝酰亚胺和萘酰亚胺类半导体是两类优秀的电子受体材料,也是人们研究的热点之一。苝酰亚胺和萘酰亚胺类聚合物半导体成膜性好,易溶......
继石墨之后,黑磷是迄今发现的第二种由一种元素组成的层状材料,层间为范德瓦尔斯相互作用。在后石墨烯时代,由于黑磷具有高空穴迁......
在现如今的信息社会,各种电子产品层出不穷,它们已成为人类生产生活中不可替代的产品。随着社会的发展,人们对新型电子产品的需求......
成本 低等诸多优点[1-2]而被认为是适用于平板显示领域最有前景的 TFT 技术.在过去十多年里,氧化物 TFT 的性能得到很大程度的地提......
利用电子束反应沉积技术生长高迁移率IMwo(In2 03：w03/M003)薄膜，研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度时薄膜的微观结构、光学性能和电学......
目的: 败血症，又称脓毒症，是一种严重的可能危及生命的全身性炎症反应，其致病原因主要由感染或者组织损伤引起的全身性炎症应答综......
电泳显示器件由于其优越的性能从众多显示技术中脱颖而出，备受世界各大电子企业和研究所的关注，并且为其最终产业化生产进行紧锣密鼓......
当前,在5G、云计算、人工智能以及大数据等需求的强力推动下,作为基础工艺的集成电路制造技术发展迅猛,器件的关键尺寸不断缩小,同......
70年代半导体超晶格、量子阱的出现,使人们能自由剪裁半导体材料的光电性能,开辟了人工材料的新纪元,从而对信息技术领域产生了巨......
通过变磁场霍尔测量方法 ,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法 ,在 1 2 - 30 0K范围内 ,获得了两块分子束外延 (......
由于成本低和易加工 ,有机光电导体在静电复印应用中越来越广 ,也经常充当电致发光显示器的输运层。但是有机材料的光电性能却不理......
据报道,美国加利福尼亚大学研制成新型异质结AlGaN/AIN/GaN HEMT。对于通常的HEMT在高的电荷密度下,插入极薄的AIN界面层(～1nm)保......
用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时......
高迁移率族蛋白1(HMGB-1)是一个高迁移率族染色体蛋白质的家庭成员,它由215个氨基酸构成,在人和动物细胞核内普遍存在。HMGB-1可由......
研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强......
双轴应变技术被证实是一种能同时提高电子和空穴迁移率的颇有前景的方法;〈100〉沟道方向能有效地提升空穴迁移率.研究了在双轴应......
近年来,微晶硅(μc-Si:H)被认为是一种制作TFT的有前景的材料。采用PECVD法,在低于200℃时制作了微晶硅TFTs ,其制作条件类似于非......
计算机巨头IBM公司制造出非常接近当今硅逻辑器件尺寸的InGaAsMOSFET。该公司的一个研究小组今年初描述了160nm栅长的上述晶体管。......
研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本大阪大学纳米材料微器件研究中心采用ZnO宽禁带半导体材料制作了具有微波特性的HFET......
研究了结构为ITO/m-MTDATA:x%4F-TCNQ/NPB/TBADN:EBDP:DCJTB/Bphen:Liq/LiF/Al的有机白光电致发光器件(WOLED)。分别在ITO与NPB间......
二维黑磷具有可调的直接带隙、高迁移率和适度的开关比等优异性质，在纳米电子器件方面有着很大的应用前景。然而二维黑磷在环境......
虽然有机半导体单晶通常有着较高的迁移率，但是这类材料的发光性能往往很弱，从而限制了它们在高效有机发光器件上的应用。因此，我......
本文以吡咯并吡咯二酮并二噻唑的D-A共聚物为半导体材料，通过溶液剪切法制备有序薄膜，获得主链方向10 cm2/V·s的高迁移率。我们......
聚合物太阳电池(PSC)因具有轻、薄、柔性、可大面积高速印刷的低成本潜力等独特优势，而受到国内外科学家和工程师的广泛关注与......
有机/无机杂化太阳电池，能够结合有机半导体优异成膜性和无机材料高迁移率的优点，是目前太阳能利用的另一个重要研究方向。然而，......
1 TCF7L2基位于人类染色体10q25.3的TCF7L2基因,长度为215.9 kb,包括14个外显子,其表达产物为高迁移率组盒包含的T细胞转录因子-4(......
有机半导体高分子聚合物由于具有溶液可加工性、加工成本低和可弯曲等优点而在柔性电子器件上具有巨大的应用前景。现有的有机半导......
学位
随着CMOS特征尺寸不断减小,已经接近物理极限,传统Si基CMOS器件开始出现诸如漏致势垒降低效应、漏源穿通效应、短沟道效应、迁移率......
自从2004年在LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）界面发现二维电子气以来,传统半导体设备的核心概念,如二维电子气、场效应等,正以复杂氧化物的......
随着石墨烯的问世,二硫化钼、二硫化钨、二氧化锰、磷烯等一系列二维半导体材料成为了当下研究的热潮。二维半导体材料具有优异的......
近年来平板显示技术飞速发展,日新月异,和人们的生活息息相关,广泛应用于娱乐、医药、交通、消费电子、工业设备等领域。平板显示......
为了满足微电子器件不断扩展到更小尺寸的需求,SiO_2栅极介电层被高介电常量材料Hf(Zr)O_2所替代,以尽可能减少流过介电薄膜的漏电......
外周生物标志物具有许多潜在用途,可用于癫痫的治疗、预测、预后和药物安全监视作用。目前为止,虽然多个候选标记物在研究中,但还......
目的:原核表达并纯化人高迁移率族B1蛋白(HMGB1)免疫日本大耳白兔制备其抗体。方法:构建原核表达质粒pRsetA2-HMGB1,转化大肠杆菌B......
利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率In2O3基W-Mo共掺(IMWO,In2O3:WO3/MoO3)薄膜,研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度对薄膜的微观......
