【摘 要】
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大量的研究表明,通过对SiNW-FET表面进行特殊功能分子的修饰,SiNW能够对蛋白质、DNA、病毒,甚至细胞实现高灵敏度检测,然而微弱的信号和大的噪声对检测造成了不利的影响。我们利用DRIE刻蚀和HNA腐蚀混合的方法,实现了多纳米线平行的生物检测传感器。这种传感器的纳米线呈5列7排,共35根,共用源漏。制备方法如下：首先制备5列纳米线的硬掩模。之后采用7次Bosch干法刻蚀循环,通过SF6和C4
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大量的研究表明,通过对SiNW-FET表面进行特殊功能分子的修饰,SiNW能够对蛋白质、DNA、病毒,甚至细胞实现高灵敏度检测,然而微弱的信号和大的噪声对检测造成了不利的影响。我们利用DRIE刻蚀和HNA腐蚀混合的方法,实现了多纳米线平行的生物检测传感器。这种传感器的纳米线呈5列7排,共35根,共用源漏。制备方法如下：首先制备5列纳米线的硬掩模。之后采用7次Bosch干法刻蚀循环,通过SF6和C4F8的刻蚀和保护获得贝壳状侧墙的纳米侧壁。通过SEM观察,纳米侧壁的厚度是500nm左右。通过与单纳米线器件对比,3D纳米线器件的输出噪声和信号强度更好。最后,将器件进行1∶3∶8的HNA溶液进一步腐蚀,从而获得300纳米直径左右的纳米线。在这之后,进行一系列的生化处理,器件能够实现低浓度的igG生化检测。
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