【摘 要】
：
使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟组分为0.18。用电子束蒸发的方法在p型In0.18Ga0.82N上制作Ni(20nm)/Au(120nm)电极,并在空气气氛下采用不同的温度进行退火。用传输线方法研究不同温度下的比接触电阻率,发现在500℃退火30s时得到了比接触电阻率的最优值5.8×102
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所材料中心,北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室,中国科学院
【出 处】
：
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟组分为0.18。用电子束蒸发的方法在p型In0.18Ga0.82N上制作Ni(20nm)/Au(120nm)电极,并在空气气氛下采用不同的温度进行退火。用传输线方法研究不同温度下的比接触电阻率,发现在500℃退火30s时得到了比接触电阻率的最优值5.8×102Ω·cm2,研究此时p型In0.18Ga0.82N的电学特性,发现材料空穴浓度高达4×1018cm3。
其他文献
在国产TDR-62硅单晶炉上采用直拉(CZ法),通过改进SiGe单晶生长热场和氩气流动方式,采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长工艺参数,拉制出了Ge浓度为(9.79～12.92)wt％(重量比)、直径(50～60)mm的高浓度SiGe单晶,并对拉制出的SiGe单晶的Ge浓度、位错密度及生长界面情况进行了测试和分析。
在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射,原子力显微镜(AFM),汞探针C-V以及霍尔效应,对样品进行了测试分析,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。外延层10×10μm的粗糙度(RMS)为0.271nm:室温下,样品的浓度为1×1015 cm-3 时,霍尔迁移率高达987cm2/V·s；在浓度为1.5×1016 cm-3时,霍尔迁移率为821
利用聚合物的溶解特性,用旋涂方法制备了双层高分子白光二极管(WPLED),实现了结构为ITO/PEDOT(50nm)/PVK:PFO-BT:PFO-DBT(40nm)/PFO(40nm)/Ba(4nm)/Al(120am)的白光器件,当相对比例PVK:PFO-BT:PFO-DBT=1:4wt％:3wt％时,得到最大电流效率为2.64cd/A,最大亮度为3215cd/m2,CIE色坐标为(0.33,
不同的成膜方式、成膜条件对有机半导体材料薄膜特性有很大的影响。比较了真空蒸镀和采用熔融猝冷制备的N,N-Diphenyl-N,N-bis(3-methylphcnyl)bcnzidine(TPD)薄膜,熔融猝冷所得的TPD薄膜具有更好的热稳定性和更高的迁移率,而且熔融猝冷TPD迁移率随电场变化很小。讨论了真空沉积的并五对真空沉积的并五苯薄膜,在惰性氛围中将其退火,也观察到晶粒结合更紧密,提高场效应
本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射(Raman Scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜具有单一的晶体取向；Raman散射谱线初步表明得到的SiC漳膜为4H型态。衬底温度过低,不利于Si、C原子选择合适的格
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLEDs)以其制备工艺简单、成本低、发光颜色可在可见光区内任意调节以及易于大面积和柔韧弯曲等优点,被认为是未来重要的平板显示技术之一,在未来照明光源领域也显示了诱人的应用前景。一般认为,如果OLEDs的发光效率超过100 lm/W,就有可能取代一般照明。本文报道了我们在白光OLED方面取得的最新进展,开发出了全荧光型、荧
我们利用发光光谱和荧光寿命分析技术研究了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的发光特性。用化学方法合成了2.0和3.0 nm的CdTe裸核纳米晶,然后用SILAR技术在它们的表面生长不同厚度的CdS壳层,获得了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶。随着CdS壳的厚度的增加,2.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在显著的波长红移,并且其辐射寿命存在显著的变长,但是3.0nm核的CdTe/CdS
为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测量表明PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱具有很好晶体质量和发光特性。制作的二极管I-V特性测量显示正向工作开启电压为0.35V左右。工作电流1.6
采用金属Ti插入层在氧化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。金属Ti插入层有助于晶体质量的提高,X射线衍射测量发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽只有260 arcsec。扫描电子显微镜测量显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×107cm-2.最后研究了样品在低温下的荧光特性,证明了得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量。
采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现存HVPE GaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错位错密度。此外,研究了用特定的x射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,氢化物气相外延生长的六方相的Ga