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4H-碳化硅薄膜相关论文
AIN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究
本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)......
会议
硅衬底
4H-碳化硅薄膜
异质外延生长
C/Si比值
CVD法
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