【摘 要】
:
为表征氧乙炔焊、激光熔敷钴基Stellite6合金耐磨层组织性能的差异,采用成熟的焊接工艺参数完成激光熔敷及氧乙炔焊接Stellite6合金耐磨层制备.基于耐磨层试板,通过试验研究不同工艺对Stellite6合金涂层成分、硬度、组织及腐蚀性能的影响.研究发现,针对氧乙炔焊、激光熔敷工艺,Stellite6合金涂层硬度平均值均满足验收要求,金相试验未发现异常组织.EDS能谱分析发现,氧乙炔焊接工艺条
【机 构】
:
中广核工程有限公司,广东深圳518124;核电安全监控技术与装备国家重点实验室,广东深圳518172
论文部分内容阅读
为表征氧乙炔焊、激光熔敷钴基Stellite6合金耐磨层组织性能的差异,采用成熟的焊接工艺参数完成激光熔敷及氧乙炔焊接Stellite6合金耐磨层制备.基于耐磨层试板,通过试验研究不同工艺对Stellite6合金涂层成分、硬度、组织及腐蚀性能的影响.研究发现,针对氧乙炔焊、激光熔敷工艺,Stellite6合金涂层硬度平均值均满足验收要求,金相试验未发现异常组织.EDS能谱分析发现,氧乙炔焊接工艺条件下耐磨层成分偏析明显,尤其是C、W等硬质颗粒形成元素.特定工况下,电化学腐蚀试验显示,激光熔敷条件下耐磨层钝化效应更加明显.
其他文献
结合低温预退火(LTPA)和激光退火(ELA)的方法处理注磷p-Ge(100)衬底,研究不同预退火和激光退火条件下对注磷Ge衬底中磷扩散的影响;低温预退火可以有效压制磷在激光退火过程中的扩散;通过优化退火条件,制备得到Ge n+/p 浅结二极管,其整流高达~107,暗电流密度低至8.3x10-5A/cm2.此外,我们将两步退火法应用光电探测器中,制备得到正入射Ge PN 结光电探测器,在1.55μ
掺杂在半导体工业中具有非常重要的意义.传统的半导体掺杂方法有两种,即热扩散和离子注入.热扩散通常需要高温和很长时间,能耗巨大、效率低,而且高温加热过程中半导体材料很容易受到来自周围环境中杂质的玷污.本文延续上述工作,对上述等离子体室温掺杂方法的物理机制进行深入的研究。需要说明的是,在等离子体处理过程中,即便不在待掺材料上施加偏置电压,在待掺材料与等离子体界面也会产生鞘层,存在鞘层电压。等离子体中的
硅基纳米线阵列结构在包括如光催化、场效应晶体管、生化传感器、表面自清洁材料等新型器件方面有着重要的前景.例如,硅纳米线结构,尤其是垂直有序排列的硅纳米线阵列结构,可以显著增强光的收集能力,有效地增加光吸收,进而提高光伏器件的光转换效率.利用金属辅助刻蚀技术得到了具有不同刻蚀深度的纳米线阵列,研究了相关结构的光学减反性能,并将其应用在硅量子点太阳电池上和硅基发光器件上,取得了器件性能的改善。但如何控
自旋电子学器件由于其有较小的单元尺寸,更低的功耗和新兴的电荷—自旋集成功能,因此可能成为超越摩尔定律物理极限的下一代电子器件.在众多半导体中,在硅上实现自旋电子学具有重要意义,因为硅是半导体行业中应用最普遍的材料,且成熟的硅工艺可以大大促进自旋电子器件的制备和大规模应用.应用格点非平衡格林函数方法,建立了可考虑任意隧道和肖特基势垒的输运模型,并且通过n-Si中温度依赖的费米能级和费米迪拉克分布,统
锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料.然而由于金属与n-Ge接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应,使得金属与n-Ge接触势垒很高,接触电阻较大,影响器件性能的提高.在金属和n-Ge之间加入一定厚度的介质层通常被认为是一种有效减轻费米钉扎的方法.然而,由于大多数介质层本身的绝缘性,使得介质本身会引入额外的串联电阻,不利
Si-Si直接键合作为微电子领域的一项基本工艺越来越被关注.Si-Si直接键合是将两片镜片抛光的Si片经过表面清洗、活化处理、室温贴合及高温热处理等手段而实现晶片一体化的技术,虽然键合技术起步较晚,但发展极为迅速,其原理、方法和实验设备比较简单,而且不受键合材料的结构、晶向、点阵参数的影响.Si-Si直接亲水键合虽然可以在室温下通过范德瓦耳斯力进行贴合,然而要实现高强度的键合则需要800-1000
硅是一种间接带隙半导体材料,这一特性使得硅基光源的发展受到极大的限制,人们为此做出了许多尝试,包括硅纳米晶,特殊材料的参杂和离子注入,拉曼效应,外延生长GeSn材料以及缺陷发光等.其中,晶体硅A-center缺陷中束缚电子和自由空穴进行无声子辅助直接带隙复合产生的G-line发光(1278nm)因其具有线宽宽窄发光效率高的特点而受到研究人员的关注.本文报道了在硅纳米小孔阵列中的G-line发光增强
通过向Ge中引入Sn形成Ge1-xSnx合金,可以使其能带结构向直接带隙转变,且与CMOS工艺兼容,是实现硅基光源最具有可行性的方案之一,具有重要的科学研究价值.在本文中,使用MBE在Si(001)衬底上外延生长了10个周期的Ge/Ge0.9Sn0.1/Ge量子阱结构,测试表明材料具有良好的晶格质量,观测到了明显的直接带隙发光,其光致发光(PL)谱的峰值位置在2043nm处,为进一步实现硅基激光器
光互联芯片由于其高带宽、低延迟、抗干扰能力强等优点,已成为当前硅基光电子领域的重要研究方向.目前硅基激光器的实现主要采用在硅上键合Ⅲ-Ⅴ族激光器的方法.利用FDTD(时域有限差分)方法对微环谐振腔设计进行仿真,对单环、并/串联双环、跑道环四种结构的参数进行仿真优化,设置耦合区宽度为100nm,波导脊宽为2.5μm。仿真结果如图1所示,在波长1530nm附近,四种结构均可产生较强的谐振峰,谐振腔品质
针对690镍基合金熔敷金属高温失塑裂纹敏感性问题,采用基于Gleeble-3500热力耦合试验机的STF试验,开展焊接工艺对国产化690镍基合金焊丝WHS690M熔敷金属高温失塑裂纹敏感性的影响研究,并与进口Inconel52M焊丝试验结果进行对比分析.试验表明,熔敷金属高温失塑裂纹最小临界应变出现在1050℃附近,焊接热输入对最小临界应变影响较小,相比于大面积堆焊熔敷层,对接焊缝熔敷金属临界应变