锗材料相关论文
随着高效多结太阳电池制造工艺的日益成熟和商业化应用，对制造电池所用的Ge单晶衬底质量要求日益提高。本文对VGF法生长的4寸Ge单晶......
锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料.然而由于......
载流子的散射机制对锗材料的迁移率及光学性质具有重要的影响.本文通过构建直接带(Г)能谷谷内散射、间接带L能谷谷内散射以及(Г)......
提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法，利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备，在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm......
随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工......
锗材料是红外光学系统的重要组成原料,它的光学折射率是基本的设计输入参数。对于成像质量高的红外光学系统,必须掌握其精确的折射......
近几十年来,在摩尔定律的指引下,半导体工艺技术迅猛发展,集成电路集成度不断提高,随之而来集成电路的最基本单元-场效应晶体管(MO......
本文研究了一种含维生素与有机锗保健材料的纺织品后整理加工工艺技术.采用含维生素C、E的β-环糊精包络技术和阳离子接枝改性预处......
本文研究了一种含维生素与有机锗保健材料的纺织品后整理加工工艺技术。采用含维生素C、E的β-环糊精包络技术和阳离子接枝改......
硅基Ge材料是一种重要的硅基异质结构材料，它既是硅基高迁移率材料，同时也是重要的硅基光子学器件用材料，在硅基光电集成中具有重要的......
元素半导体硅锗材料尤其是硅材料是当今半导体行业中的重要微电子和光电子材料,研究其熔体的微观结构对控制单晶的生长过程有着重......
近50年来，半导体集成电路技术按照“摩尔定律”快速发展，器件尺寸不断缩小，芯片集成度和性能不断得到提升。然而，器件特征尺寸进入亚10......
块体的Ge是间接带隙半导体，其光学带隙宽度较小、发光效率低，且发光峰位于近红外，从而限制了Ge材料在光学器件上的应用。而纳米尺寸的......
锗材料因其具有比硅材料更高的载流子迁移率和在通信波段具有更高的吸收系数,并且与成熟的硅微电子工艺相兼容等优点,使硅基锗光电......
学位
强激光辐照锗材料可造成材料的破坏。对波段外脉冲激光辐照锗材料进行了理论研究,建立了激光辐照锗材料的热力耦合数学物理模型,对......
通过光谱非相关激光辐照锗材料Ge实验,获得了在光谱非相关激光辐照下的锗材料温度随入射激光功率密度和辐照时间改变的变化规律,材......
红外光学系统的镜片组件在环境温度较高时会发生热形变,特别是在局部温度过高时,镜片的面形、厚度的变化会对成像质量有着不可忽视......
为了研究水对激光辐照半导体锗材料的影响,利用1064nm纳秒脉冲激光辐照锗材料,改变激光能量与锗材料所处环境,对其散射光谱进行采......
以Nd:YAG1064nm波长的脉冲激光辐照锗材料为例,研究锗材料激光毁伤的机理。利用毁伤形貌分析了激光毁伤锗材料的毁伤机理,并分析了......
