Cu掺杂SnO2多孔薄膜H2S传感器的制备及性能研究

来源 :中国化学会第29届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pz199
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  我们利用自组装软模板结合简单的物理共溅射方法,在所希望的基底上沉积良好有序的、具有高比表面积的 Cu 掺杂的 SnO2多孔薄膜.Cu 掺杂的 SnO2多孔膜气体传感器显示了优异的传感性能,包括高灵敏度、选择性、重现性以及快速响应和较短的恢复时间.在 180℃ 的最佳操作温度下,对于 100ppm H2S,Cu 掺杂的 SnO2多孔薄膜传感器与未掺杂的 SnO2传感器相比,灵敏度达到一个数量级的提高,平均响应和恢复时间较短,分别为 10.1 和 42.4s,由该方法制造的多孔传感器由于其精确的控制过程表现出很高的重现性和稳定性.简便的制造工艺可以很容易地扩展到其他半导体氧化物气体传感器的制造和多层多孔纳米结构的实际应用.
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