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基于自旋密度泛函理论(DFT)框架下的广义梯度近似(GGA)投影缀加波从头计算方法,使用Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)泛函描述交换-相关能,系列研究了调控不同厚度(块体、双层、单层)过渡金属硫化物WS2的电子结构,双层WS2在不同应力下能带结构的变化及激子发光。在模拟计算过程中获得了精确的参数,得到合理的结果:块体WS2材料为间接带隙,随着厚度逐渐减小,WS2带隙宽度逐渐增大,在厚度达到单层时,WS2材料变为直接带隙半导体。