势垒相关论文
计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命，结果表明，低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过......
近年来,电阻式随机存储器（Resistive Random Access Memorizer, RRAM）由于结构简单、耗能低、存储密度高以及与半导体CMOS工艺兼容性......
本文研究了存在外加磁场和考虑Rashba自旋轨道耦合效应的情况下,自旋极化电子在一维F/S/F（铁磁/半导体/铁磁）异质结和T型F/S/F（铁磁/......
玻色-爱因斯坦凝聚（BEC）是指当系统的温度足够低（一般为n K量级）时,玻色子在动量空间中能量最低态的聚集,其被认为是除固态、液态、气......
本论文基于两种能够发生激发态分子内质子转移的新型分子体系,采用密度泛函理论和含时密度泛函理论方法,使用B3LYP泛函以及TVZP基......
有机电致发光器件（OLEDs）具有低功耗、视角宽、可柔性化和响应速度快等优势,已经被广泛应用到照明及显示领域。在众多发光材料中,磷......
通过数值仿真, 研究了空间孤子在经过一个宇称-时间(PT)对称纵向势垒之后的动态传播特性。仿真结果表明, 空间孤子穿越势垒之后有......
本文简要介绍了 nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程。讨论了 nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理。对比了普通碲镉汞 n......
采用分子动力学方法模拟硅探针在空位缺陷和Stone-Wales(SW)缺陷石墨烯上的滑移过程,研究空位缺陷和SW缺陷对石墨烯摩擦力的影响.......
利用Melnikov方法讨论了非谐激励系统的混沌行为,并在极限情况κ→0下,把非谐激励转化为谐波激励,而运动方程化为倒置摆方程。倒置......
采用密度泛函(B3LYP)理论对乳清酸核苷单磷酸盐脱羧酶(ODCase)催化乳清酸核苷单磷酸盐(OMP)脱羧反应的动力学同位素效应进行了理论......
中国石油大学(华东)研究人员发现多孔石墨烯PG-ES薄膜可高效地将氢气从混合气体中分离出来,并利用“能量势垒”的模型阐述了分离原......
电子器件的小型化和运作速度的增长是20世纪科技最引人注目的成就之一。现在已拥有包括数十亿个晶体管的计算机芯片，能在几十亿分之......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
强光照射时,CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象,严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光......
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护......
红外探测器在民用军用领域都有非常重要的地位,包括:安防、夜间成像、导弹预警、气象水文探测等等。随着材料制备技术和芯片制造工......
由于光脉冲信号在光纤中的传输损耗很低,被用于信息长距离传输的媒介。近年来,光子晶体光纤(PCF)的产生打破了传统光纤的局限性,为......
近年来,化石燃料的快速消耗加速了能源的短缺,尽快开发新的能源成了重要论题。氢能源就是其中之一,它具有清洁易生产的优点。甲醇......
氢键是一种常见且重要的弱相互作用,在许多物质、分子中都含有氢键。氢键是两个电负性很大的原子X、Y相互接近,在X、Y之间以氢为媒......
学位
假设应变效应仅出现在势阱底部,并可用方形势垒代替。在量子力学的框架下,对双阱结构的量子阱进行了讨论,并对输出波长的应变效应......
研究了外延PbS p-n结构的电和光电性能。外延层中结的平面垂直于薄层面。指出,有可能利用如光电二极管类似结构制造小响应时间的红......
本文对功率电路中传统使用的P-i-n整流器及肖特基势垒整流器、同步整流器、结势垒控制的肖特基整流器、砷化锭肖特基整流器等新型......
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值......
随机共振是当今非线性科学研究中的一个重要分支.该文中我们使用了数值模拟和实验两种方法,研究了随机共振在化学体系中的实现方法......
近几年商业上对研制高效的蓝光LED和短波长激光二极管的强烈需求,使人们掀起了对可产生短波长的宽禁带半导体材料的研究热潮.作为......
SiC具有宽禁带(3.2～3.4eV)，高热导率，高饱和电子漂移速率，因此被认为是制作高压，高温，高频器件的重要材料之一。 欧姆接触是制作SiC器......
针对太阳电池正偏置工作电压和玻璃盖片表面负电位产生的势垒及其对低轨道航天器绝对带电的影响。本文首先基于轴对称模型结构分析......
研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN(i AlGaN/GaN)异质结构之间的欧姆接触性质。在......
采用注入势垒单相埋沟结构和两层多晶硅一层铝工艺技术,研制出512位高速CCD延迟线,获得了大于10 MHz的工作频率和大于50 dB的动态......
运用美国宾州大学开发的太阳电池模拟软件AMPS-1 D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)研究窗口层厚度、前端......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
为提高碳纳米管(CNTs)湿度传感器的检测精度,研制了一种电阻型碳纳米管湿度传感器.阐述了传感器的结构、工作原理与制作过程,并对......
期刊
运用量子力学半经验分子轨道ＡＭ１方法计算乙炔作为生长基在金刚石（１１１）附氢表面上的吸附和成核过程，提出了两种可能的由乙炔合成金刚石薄膜的......
利用 Matlab语言 ,用差分方法求解一维半导体在外场作用下的势垒变化。数值求解表明 :外场减低势垒高度 ,外场不同 ,减低的高度一......
通过求解半狄拉克费米子势垒问题的定态薛定谔方程得到了半狄拉克费米子的透射系数与其入射到势垒方向之间的关系.本文分别计算了......
介绍了一种被称为量子点量子阱 (Quantum- dot quantum wells简称 QDQWs)的新型半导体材料 ,并为其建立了合适的计算模型 .再以 B......
把Parikh和Wilczek有关黑洞辐射的工作推广到四维GHS(garfinkle-horowitz-strominger)黑洞对带质量、电荷的粒子的Hawking辐射.在......
采用从头算方法,利用密度泛函理论(DFT)模拟不同路径、不同压力条件下He@C60的形成过程. 通过对He嵌入富勒烯的势垒进行研究发现,H......
研究了Sr对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当SrCO3的含量从零增加到1.50mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电......
采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了TCO与非晶硅界面势垒对TCO/a-Si:H(p+)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i) /a-Si:H(n+)/TCO......
本文通过作图研究了一维无限深势阱中引入势垒后的能级变化情况．随着双阱势中势垒高度V0的不断增大，相邻的奇宇称能级与偶宇称能级逐......
