金刚石薄膜、类金刚石薄膜和非晶金刚石薄膜在制作场致电子发射器件中已开始占有不可忽视的地位。本文采用是极氧化方法腐蚀n-型单晶硅表面形成多孔层，利用磁过滤真空弧等离子体镀膜系统，将非晶金刚石薄膜沉积分别在n-型单晶硅和多孔n-型单晶硅上，利用SEM，XRD，Raman spectroscopy，Photoluminescence spectroscopy等测试手段研究了非晶金刚石薄膜/n-型硅衬底结构和非晶金刚石/多孔n-型单晶硅衬底结构的表面形貌及界面特征；并测量了它们的真空场致电子发射特性，实验结果表明沉积在阳极氧化处理过的多孔n-型硅上的非晶金刚石薄膜显示出较低的发射域值电场和较强的发射电流。这与非晶金刚石/多孔n-型单晶硅结构的独特界面性质有关，进一步的研究仍在进行中。