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某些特种半导体器件，采用重掺As衬底，要求的外延层厚度很薄，浓度较低，外延层和衬底之间的过渡区宽度要求尽可能的窄。本文主要论述了在重掺As衬底上生长-薄层N型外延，通过降低生长速率的方法来减小过渡区宽度。
掺As薄层硅外延片的过渡区控制
【摘 要】
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某些特种半导体器件，采用重掺As衬底，要求的外延层厚度很薄，浓度较低，外延层和衬底之间的过渡区宽度要求尽可能的窄。本文主要论述了在重掺As衬底上生长-薄层N型外延，通过降低
【机 构】
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东南大学电子科学与工程学院南京国盛电子有限公司,南京210038
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年11期
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