硅外延片相关论文
阐述硅外延片在电阻率和厚度一致性的问题,改善其一致性外延片的制备方法,包括装入衬底片、衬底气相抛光、变流量吹扫、本征生长、......
本文主要对硅外延片表面微缺陷分析方法进行研究,通过配置一定比例的重铬酸钾及氢氟酸腐蚀液,严格按照试验方法的操作步骤对硅外延......
随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一.使用具有五路......
随着集成电路集成度不断提高,主流技术的集成电路已经发展到0.35微米或更小的水平,集成 成电路对硅材料表面晶体完整性、吸杂特性......
介绍了一种高压大功率微波PIN管用N型硅外延材料的制作工艺，即在常压外延设备上，采取特殊的工艺控制，在电阻率......
本文主要介绍功率MOSFET管用N型硅外延材料的生产工艺，通过对HCl气腐、衬底片的加工、外延生长工艺过程等一系列问题进行优化，使......
通过试验比较P型硅外延片的Hg探针C-V法测量电阻率中，直接测试和HF处理后测试电阻率值的差别，得出了实际应用HF处理P外延片的可......
某些特种半导体器件，采用重掺As衬底，要求的外延层厚度很薄，浓度较低，外延层和衬底之间的过渡区宽度要求尽可能的窄。本文主要论述......
本文讨论了影响P/P高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低......
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当今世界,伴随着互联网的发展,我国的电子信息行业迎来了春天,目前,互联网技术已经深入生活,无处不在.在这个信息化的时代,微电子......
该文对硅外延片电阻率和厚度均匀一致性的改善做了一系列探索和改进.该文深入分析了造成自掺杂的各种因素,推断出自掺杂的形成机理......
河北普兴电子科技股份有限公司的8英寸VDMOS用硅外延片荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖.......
硅外延是一种在高温环境下通过气相学化学反应,在已经被进行过抛光处理的硅单晶片上生长出一层或是多层硅单层薄膜的物质,技术处理......
本文采用化学气相沉积（CVD）方法,利用桶式外延炉,在4英寸〈100〉晶向,2×10-2Ω·cm重掺Sb衬底上,生长厚度50μm、电阻率〉1......
主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用......
利用LPE-3061D平板式外延炉制备硅外延片,实验研究了流场分布对外延生长速率、厚度及其均匀性的影响,在外延制备过程中通过运用流......
本文主要简述在硅外延片生产过程中对于硅外延片的参数和性能的主要的质量控制方法、检验方法的研究,并对主要测量设备的功能进行......
我国半导体硅材料事业始于20世纪50年代末,现已经历了四十四个春秋。在这期间,我国建立了多晶硅、直拉单晶硅、区熔单晶硅、硅外延......
硅外延是一种性能优良的半导体材料，在IGBT、大功率器件等领域中有着广泛的应用。FTIR（Fourier—Transform Infrared Spectrophotome......
外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一,如何准确地测量外延层的电阻率,以满足半导体器件研制的要求,是检验人员关注的一项重要......
当前,硅外延片作为制备功率MOS等器件的关键支撑材料,对其表面的结晶质量有愈加严格的要求。硅外延片表面一旦存在雾状缺陷也就意......
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电......
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随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级(<05μm)和亚四分之一微米级(<025μm)发展,对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来......
硅外延片非常适合且已经被广泛用作制备功率半导体器件,但其供给远远不能满足市场需求。硅外延片清洗后,可能会造成表面有机物、颗......
本文通过大量试验,分析出了硅外延产生滑移线的主要因素;并对消除滑移线的工艺和热处理条件选择地进行了试验总结,取得了可实用的......
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在6英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长厚度11μm、电阻率1.6Ω·cm......
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用......
在化学气相沉积(CVD)过程中运用COMSOL Multiphysics建立硅外延生长的层流模型,研究了不同气流设置条件下反应腔体内的气流状态和......
随着客户对外延片边缘的关注度不断增加,部门对质量意识的不断提升,针对硅外延片边缘异常黑斑进行原因分析及研究,分别从异物沾污......
硅外延片是得到广泛应用的半导体材料,而半导体硅材料是整个半导体产业的基础。随着电子信息技术的飞速发展,硅外延片除了在高性能......
<正>1、产品及其简介1973年美国IR公司推出VDMOS结构,将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS管是在外延......
一、硅单晶和外延材料 半导体硅单晶材料是半导体器件和集成电路等电子工业的基础材料,年产量已超过50亿in~2,到2000年预计将达60......
本文共分四个部分。第一部分从材料是人类社会发展的物质基础与先导着手,对作为现代信息社会支柱的微电子和光电子高技术产业的核......
P型高阻硅外延片作为制备光电器件的关键支撑材料,对电阻率提出极高要求,单在生长过程中极易出现夹层而影响后续器件性能。本文通......
200 mm尺寸的硅外延片是制备VDMOS功率器件的关键材料,其均匀性、结晶质量等材料技术指标与器件耐压、正向导通特性等电学性能密切......
利用化学气相沉积方法制备所需硅外延层,通过FTIR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等多种测试......
未来几年，中国集成电路市场将在反弹和调整中持续稳步发展，物联网、低碳、智能电网、光伏产业、无线技术及其应用市场将在未来进一步......
CCD成像器件作为大面阵高集成度器件,对外延材料的均匀性,特别是P型材料的电阻率均匀性,提出更高要求。本文主要介绍了CCD成像器件......
文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势......
