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双异质结中间层材料对第三层材料能带的影响
【机 构】
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北京大学信息科学与技术学院,北京,100871
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
其他文献
InN is regarded as one of the representatives of the third generation of semiconductor.As the experiment confirmed that the narrow band gap of InN material,then greatly broadened the scope of applicat