【摘 要】
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将氟硼酸类的离子液晶(1-十二-3-甲基咪唑氟硼酸盐)引入到染料敏化太阳电池(以下简称DSCs)用电解质领域,研究了离子液晶的结构及其对其中I-/I3-传输的影响,以及由此而产生的对DSC光伏性能的影响.研究表明,氟硼酸和碘盐离子液晶组成的二元混合体系的离子液晶依然具有层状结构,并且碘的引入不会改变其层状结构;离子液晶中层状结构有利于I-/I3-基于Grotthus-like交换反应的进行,从而达
【机 构】
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中国能源建设集团安徽省电力设计院,合肥230601;中科院新型薄膜太阳电池重点实验室,中科院等离子物理研究所,合肥230031
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将氟硼酸类的离子液晶(1-十二-3-甲基咪唑氟硼酸盐)引入到染料敏化太阳电池(以下简称DSCs)用电解质领域,研究了离子液晶的结构及其对其中I-/I3-传输的影响,以及由此而产生的对DSC光伏性能的影响.研究表明,氟硼酸和碘盐离子液晶组成的二元混合体系的离子液晶依然具有层状结构,并且碘的引入不会改变其层状结构;离子液晶中层状结构有利于I-/I3-基于Grotthus-like交换反应的进行,从而达到了提高DSCs光伏性能的目的.
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提出了制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的一种设想,即借助脉冲激光沉积法(PLD)制备电池的钼层、铜铟镓硒吸收层和CdS缓冲层.借助脉冲激光沉积法把CuIn0.8Ga0.2Se2薄膜沉积到钼薄膜覆盖的钙钠玻璃上,XRD和拉曼光谱测试表明:室温衬底下沉积的CIGS薄膜具有非晶结构,随着衬底温度从200升高到500,CIGS薄膜的结晶度增强,最大晶粒尺寸达19.75nm.霍尔测试表明400衬底温度下薄膜的载流
通过磁控溅射技术制备了CdS窗口层多晶薄膜和CdTe吸收层多晶薄膜,研究了不同CdS退火工艺对CdTe太阳能电池性能的影响.研究结果表明,通过CdS冷处理,CdS的晶体结构没有发生变化,仍然为没有经过冷处理的六方结构,经过冷处理后,CdS多晶薄膜的结晶质量得到了提高,多晶薄膜的表面覆盖度得到了改善,晶粒尺寸增大,CdTe太阳能电池的开路电压、转化效率得到了提高.通过CdS冷处理,利用低温射频磁控溅
采用湿法腐蚀,在p型晶硅衬底上制备定向生长、直径为40-500纳米的硅纳米线阵列.高度为5μm的纳米线阵列,在350nm到1OOOnm之间的平均反射率为3.62％.基于纳米线阵列的良好陷光作用,采用常规扩散工艺制备的纳米线太阳电池的短路电流与平面结构太阳电池相比,提高了29.7％.在250衬底温度下,采用热丝化学气相沉积技术,以氢稀释磷烷作为掺杂气体,实现了硅纳米线的浅结掺杂,与常规扩散工艺制备的
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量子点敏化太阳能电池(QDSCs)近年来受到人们的广泛关注.但是由于量子点导带上的电子很容易发生复合,使得QDSCs的光电转换效率仍然较低.为了提高其光电转换效率,通过将杂质锰元素掺入到量子点中,通过优化沉积次数来提高QDSCs的光电转换效率.当Mn-CdS的掺杂比例为1:10,电池的光电转换效率达到了最大值(1.51％).
以In掺杂CdS量子点为例,详细讨论了SILAR沉积次数对In掺杂CdS量子点敏化电池性能的影响.实验结果表明:当In-CdS掺杂比例固定在1:5时,随着SILAR次数的增加,电池的短路电流密度,开路电压和光电转换效率都是增加的,当SILAR次数为6次时,In掺杂CdS的QDSCs光电转化效率达到了最大值(n=0.76％),进一步增加SILAR次数光电转化效率有所降低.
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