射频功率对微晶硅薄膜材料相结构的影响*

来源 :第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) | 被引量 : 0次 | 上传用户：tdkfire

【摘要】

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采用RF-PECVD 技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.通过调节氢稀释度、电极间距、沉积压力、衬底温度等参数,优化微晶硅薄膜材料.研究射频功率对微晶硅薄膜材

【作者】

：

张林睿;周炳卿;张丽丽;金志欣;李海泉;

【机构】

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内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特010022

【出处】

：

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

【发表日期】

：

2012年期

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采用RF-PECVD 技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.通过调节氢稀释度、电极间距、沉积压力、衬底温度等参数,优化微晶硅薄膜材料.研究射频功率对微晶硅薄膜材料的相结构的影响.通过X 射线衍射、Raman 光谱、透射光谱等测试与分析,给出了晶化率、光学带隙等随功率的变化,发现射频功率对微晶硅薄膜材料的相结构具有较大影响.

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