【摘 要】
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现有体声波滤波器基本采用体硅加工技术.本文采用表面硅加工工艺和牺牲层技术制作体声波滤波器.利用多孔硅作为牺牲层,形成不需支撑膜的由上层金属电极,压电材料和下层金属电
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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现有体声波滤波器基本采用体硅加工技术.本文采用表面硅加工工艺和牺牲层技术制作体声波滤波器.利用多孔硅作为牺牲层,形成不需支撑膜的由上层金属电极,压电材料和下层金属电极构成的自支撑的三明治结构.避免了支撑膜对滤波器的影响.同时本文设计将每个谐振器作为一个自支撑单元,减少了工作在不同频率下谐振器的互相干扰.
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