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考虑到目前定向碳纳米管阵列中图案单元的的直径较大,会在一定程度上影响其场发射性能,本文拟利用电子束光刻技术,设计并制备出一种点状定向碳纳米管阵列,模拟计算和测试结果表明文中制备出的点状定向碳纳米管阵列降低了定向碳纳米管阵列边缘效应,场发射性能得到了相应的提高.与图案单元较大的碳纳米管阵列相比,开启场强下降了57％.阈值电压下降了23％.而且发射电流密度更大,稳定性更高.