ISING模型下溶质原子对α-Ti合金层错能的影响

来源 :第十六届全国钛及钛合金学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dingxyz
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本文采用第一性原理EMTO-CPA方法结合ISING模型研究了合金化对α-Ti合金基面四种层错能(I1,I2,E,T2)的影响.合金原子包括Mg、Al、Si、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Y、Zr、Ge、Sn、Nb、Pd、Rh、Ru、Ag、Cd、Mo、Zr等.计算结果表明:我们所研究的溶质原子均不同程度地降低α-Ti合金的基面层错能;Sn对α-Ti合金基面层错能的影响最为显著.进一步分析显示,α-Ti合金的c/a、弹性模量、溶质原子半径、溶质原子价电子分布都是影响钦合金基面层错能的因素.
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