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该文用带SiO<,2>夹层的硅硅键合技术获得SOI材料的方法制作出了SOI硅高温压力传感器。并测试了其各种性能指标，对其进行了简单的讨论，得到了进一步改进的有益的结果。
SOI硅高温压力传感器的研制
【摘 要】
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该文用带SiO夹层的硅硅键合技术获得SOI材料的方法制作出了SOI硅高温压力传感器。并测试了其各种性能指标，对其进行了简单的讨论，得到了进一步改进的有益的结果。
【机 构】
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科学院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室
【出 处】
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中国电子学会'98敏感技术学术年会
【发表日期】
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1998年期
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