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通过计算InGaAs/GaAs应变量子阱能带结构获得峰值增益与载流子浓度的关系，结合垂直腔面发射激光器的阈值条件，理论计算了器件输出光功率与注入电流的关系，计算结果预言了直径400μm垂直腔面发射激光器瓦级光功率输出。实验中采用氧化物限制工艺制备了直径400μm垂直腔面发射激光器，器件室温连续波光输出功率达1.3W，发射波长983nm。