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文章介绍了基于物理的PIN二极管微波非线性模型.通过理论分析和定量计算,该模型描述了Ⅰ区的电荷贮存效应及其导致的PIN二极管阻抗随频率的变化关系,从而实现包含PIN二极管Ⅰ区贮存电荷效应的仿真.在理想模型的基础上,该模型还考虑了重掺杂区和结区的复合效应,以及欧姆接触电阻、重掺杂区电阻和寄生电阻,最终形成修正后的完整模型.