【摘 要】
：
触屏(Touch Panel,TP)广泛应用于智能手机、Pad、mini PC等便携式智能视窗,触控面板传感器(sensor)是触屏实现人机互动的关键原件之一,触控面板由早期的表面电容式、电阻式,到现在主流的投射电容式,其触控传感器均是由透明导电膜材料加工成图形后制作而成,既要良好的导电性能(Rs≤150Ω/◇),同时也要有优越的光学性能(高透光率T≥88％、低色度b*≤2.0以保证图形不可视).
【机 构】
：
中航工业北京航空材料研究院,北京,100095
【出 处】
：
TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
论文部分内容阅读
触屏(Touch Panel,TP)广泛应用于智能手机、Pad、mini PC等便携式智能视窗,触控面板传感器(sensor)是触屏实现人机互动的关键原件之一,触控面板由早期的表面电容式、电阻式,到现在主流的投射电容式,其触控传感器均是由透明导电膜材料加工成图形后制作而成,既要良好的导电性能(Rs≤150Ω/◇),同时也要有优越的光学性能(高透光率T≥88％、低色度b*≤2.0以保证图形不可视).其中的透明导电膜材料一直以氧化铟锡(IndiumTinOxide；ITO)为主,是目前最为适宜且广泛应用的触控用透明导电薄膜材料.
其他文献
亚稳立方相(c)CrAlN涂层因其优异的耐磨损和抗氧化性能被广泛地用作切削刀具的防护涂层.通过Si掺杂进一步改善CrAlN涂层的性能被普遍采用,但是,Si的添加会促使六方(w)AlN的形成而降低其力学性能.本研究拟在c/w-CrAlSiN涂层中引入纳米多层结构,使c/w-CrAlSiN层在c-CrAlN层上共格外延生长,获得单相立方结构的CrAlSiN/CrAlN纳米多层涂层.首先,采用阴极弧蒸发
本文采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃基底上制备镉掺杂氧化锌(Zn1-xCdxO)薄膜,研究镉掺入量(x=0,0.1,0.2,…1)和不同预处理温度对薄膜结构及其光学性能的影响.XRD结果表明,当150℃预处理时,当x＜0.3时Zn1-xCdxO薄膜以六角纤锌矿结构为主,呈现ZnO(100)、(002)、(101)特征峰；当x≥0.3时Zn1-xCdxO薄膜以立方晶相为主,CdO(111)、(200)出现
Cr2AlC属于三元层状化合物MAX相,其兼具金属和陶瓷的综合性能,如金属的导热、导电、可加工性,陶瓷的抗氧化、耐腐蚀等性能,可以预见其作为高温防护涂层具有广阔的应用前景。本研究利用直流磁控溅射技术先在Ti-6Al-4V基体上低温沉积了不同Al含量Cr-Al-C涂层,再通过后续热处理的方法获得Cr2AlCMAX相涂层,分析了Al含量对热处理后涂层相结构的影响；并对Cr2AlC涂层的高温氧化行为进行
TiAlN和CrAlN涂层是目前被切削刀具普遍采用的耐磨涂层材料,而TiAlN/CrAlN多层涂层组合了TiAlN涂层的热稳定性和CrAlN涂层的高温抗氧化性能的优势受到了广泛关注.本研究采用阴极弧蒸发方法制备了Ti1-xAlxN/Cr0.30Al0.70N(x=0、0.48、0.57和0.66)纳米多层涂层,研究TiAlN层成分的变化对多层涂层界面结构、力学及热性能的影响.研究表明：TiN、Ti
纳米多层涂层的界面强化效应可提高涂层的硬度以及阻碍裂纹扩展并改善涂层的韧性,因而成为涂层材料的研究热点,其中含Al氮化物纳米多层涂层由于其优良的力学性能和热性能而被应用于切削刀具.纳米多层涂层的性能与其层间界面结构密切相关,本研究选用TiAlN和ZrN两种氮化物涂层组合制备不同调制比(调制周期约5～7nm)的TiAlN/ZrN纳米多层涂层,对其界面结构及力学性能进行了细致研究.研究表明：TiAlN
由于具有优异的力学性能，纳米晶金属的形变机制成为近年来的研究热点。已有的研究表明，随着晶粒尺寸减小到30nm后，纳米晶纯金属的力学性能不再遵从Hall-Petch关系，甚至出现下降的反Hall-Petch现象。但是，在更具稳定性和工程价值的纳米晶合金中是否存在反Hall-Petch效应仍存争议。产生这种争议的原因主要在于当晶粒减小到纳米尺度后，合金的晶粒尺寸与晶内溶质含量以及晶界的成分和宽度等微结
虽然在粗晶材料中，固溶强化已得到深入研究并提出了许多成熟的理论和模型，然而，已有的固溶强化理论并不一定适用于纳米晶合金。现有研究对纳米晶合金中是否存在固溶强化以及其效果如何仍存在争议，既有强化作用更为显著的观点，也有强化作用随纳米晶粒尺寸减小而降低，甚至产生"固溶软化"现象的报道。产生这些争议的主要原因在于当纳米晶合金溶质含量改变时，合金的晶粒尺寸以及晶界的成分和宽度等各微结构因素均同时发生改变，
利用微波等原子体增强气相沉积技术生长金刚石-石墨复合薄膜，通过扫描电子显微镜、XRD、拉曼光谱和透射电子显微镜分析复合薄膜的微观组织结构和化学成分.结果表明：当甲烷浓度较低时(1～5 at.％)，薄膜具有典型的柱状晶结构，柱状晶面主要为(111)，金刚石相纯度较高，非金刚石相含量较低.晶粒尺寸大小约为几个微米，薄膜厚度2～3μm；当甲烷浓度增大时(6 at.％)，薄膜中金刚石相纯度降低，非金刚石相
相变存储器是目前唯一利用材料的焦耳热效应来进行数据擦写的存储技术，相变材料的热导率将显著影响相变存储器的功耗、读写速度、邻近单元间的热串扰等。为了减少器件功耗，应尽量降低相变材料的热导率，以提高热量的利用率；但同时过低的热导率使得相变单元的绝热常数过高，不利于RESET后的快速冷却，影响了器件的工作速度，因此热导率的选取也要多方考虑，权衡其对各种性能的影响；此外，相变存储器的热串扰问题也需要通过优
宽禁带半导体碳化硅(SiC)薄膜因其高热导率、高电子迁移率和高饱和电子漂移速度等优异性质而受到广泛关注.同时,其稳定的化学性质和宽的电化学势窗也使SiC薄膜可以用作电化学电极材料.本文利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在硅基体上制备SiC薄膜,通过改变功率和工作气压,SiC薄膜由纳米晶向异质外延结构转变.XRD和拉曼结果表明：SiC薄膜的外延质量随功率增加而提高.随着我国环境问题越来越严