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Valence fluctuations and their possible role in stabilizing the correlated electron state in the sys
【机 构】
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Department of Physics, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA Departme
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年9期
其他文献
本文利用甘肃省合作市气象站1960～2013年逐日平均气温资料,对甘肃省合作市近54a热量资源变化特征进行了分析,主要得出以下结论:合作市≥0℃、≥5℃和≥10℃初日均呈提前趋势,终日均呈推后趋势.各界限温度对应的持续日数均呈显著的增加趋势,且增长率随界限温度的增加而变大.≥0℃、≥5℃和≥10℃积温均呈增温趋势,积温增长率随界限温度的升高而增长,≥10℃的积温增加率为955℃/10a.利用Man
The binary compound Cu3N in cubic anti-ReOx structure is an excellent host material that it can be doped by many other noble and transitional metals atoms to fabricate novel optical,electrical and mag
会议
In the recent decades,ZnO and related materials have been studied widely for their various applications such as shot wavelength lasers,piezoelectricity devices,field-emission displays,high power high
太赫兹波段处于微波和光波之间,与物质相互作用时包含了丰富的物理和化学信息,因此太赫兹波在物理、化学、分子光谱、生物医学分析等基础领域以及医学成像、环境检测、爆炸物远距离探测等应用领域有着重大的科学研究价值和广阔的应用前景.太赫兹辐射源是太赫兹应用领域的关键核心技术.
GaAs,InGaAs等半导体材料的导带由Γ、L及X子谷组成,电子在不同的子谷会表现出不同的有效质量及输运特征.在足够强的稳态直流电场作用下,这类半导体材料由于子谷之间的电子散射会产生负微分电导率和电子速度过冲效应.由于谷间散射动力学常数在亚皮秒范围,可通过亚毫米波段的太赫兹脉冲在时间域进行探测.然而,长期以来受限于太赫兹脉冲电场强度,太赫兹自身电场分量引起的电子谷间散射等非平衡载流子动力学鲜有报
磁传感器广泛应用于计算机读出磁头、电子罗盘、GPS导航、车辆探测系统等,其核心技术就是巨磁阻效应,该效应的发明人获2007年诺贝尔物理奖.通常巨磁阻材料是用磁性金属材料制备的,半导体材料虽然也可以有磁电阻,但是数值太小,没有应用价值.
拓扑绝缘体具有绝缘的体带和类金属的边缘态和表面态.其能带可以由Z2 拓扑不变量来刻画.我们从理论上证明了在这类体系中外电场控制自旋的可能性[1-5].在本报告中,我们研究了拓扑绝缘体中电子的动力学过程,提供了一个关于边缘态/表面态物理起源的简明图像,并讨论了电子震颤等过程.和普通绝缘体中非常不同的是,自旋向上和向下的电子会向相反的方向偏转,并在样品边缘处形成边缘态.利用电场同时可以有效地实现和控制
早在上世纪七八十年代,在探索如何在硅基半导体上制备好的金电极时,就开始研究硅在金薄膜中扩散的性质.近十年,当人们开始转向纳米器件时,发现金硅颗粒是硅纳米线生长的很好催化剂[1].然而,催化剂在不同温度和气氛环境下的行为研究,无论从基础研究的角度还是从应用的角度,都是有意义的.
从科学基础研究与应用技术开发的角度出发,要提高太阳能电池的效率,必须从以下三个方面寻求突破[1,2]:1)实现太阳能电池对太阳光全光谱的吸收(陷光效应);2)增强光子转换成电子的效率(光电效应);3)改善光生载流子的输运和提高电极采集的能力(光伏效应).围绕这三个关键问题,我们从薄膜太阳能电池的关键界面入手,提出新型的低维复合界面结构与模型,研究该新型界面结构与陷光、光电效应及光伏效应的相关性.