砷化镓相关论文
针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求，基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）0.25μm工艺，设计了一款1～6 GHz正电压控制......
文中设计并实际开发了一种基于砷化镓（Gallium Arsenide， GaAs）集成无源器件（Integrated Passive Device， IPD）技术的小型化高选择性宽带......
霍尔芯片是利用霍尔效应实现磁场测量的一种磁场传感器，灵敏度是霍尔芯片性能的核心指标，芯片的结构设计优化可以在现有材料和工艺基......
砷化镓（GaAs）是应用广泛的化合物半导体,由于高脆性的特点,其划切加工一直是晶圆制造的难题。激光辅助水射流技术适用于硬脆材料的微......
晶片切割时产生的粗糙度，是一种在很小间距内的表面凹凸现象，它是“光滑”或“粗糙”感觉的基础。针对砷化镓晶体多线切割工艺对后续......
研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN......
近年来,无线通信技术正在朝着高速率、高频段、强兼容性的方向发展,这要求无线通信设备的工作带宽更宽。带宽的拓展可以使得通信设......
超宽带（Ultra-wideband,UWB）系统因其高定位精度、低功率消耗以及高传输速率等优势,在学术界得到了广泛的关注与研究。其中的射频前......
太赫兹（THz）波有着许多优异的特性,如高频宽带性、低能性、高时间分辨率等,使其在无线通信、安全检测以及缺陷检查等领域有着巨大的......
20世纪以来,半导体工业被认为是世界上最重要的工业领域之一。在过去的几十年当中,人们发现了很多新型高性能半导体材料,并将它们......
近年来,世界各国对太赫兹（terahertz,即THz）科学与技术这一光电交叉学科进行了广泛研究,并取得了丰硕的成果。太赫兹波在物体成像与......
针对微波通信等领域的整机系统对超宽带数控衰减器的需求,采用GaAs pHEMT 0.15μm工艺研制了一款DC～40 GHz带数字驱动的6位数控衰减......
本文介绍了一款工作在1.5-8GHz频段的超宽带收发一体多功能芯片。芯片内部集成了4个单刀双掷开关和一个放大器。开关分别了采用串......
温度是电力传输设备中非电量测量的主要物理量之一,对维护电力系统的正常运行,提高供电可靠性起着至关重要的作用,对温度的精准把......
砷化镓（GaAs）材料是制作光电导太赫兹（THz）器件的最佳材料之一,研究砷化镓材料在太赫兹波段的光电特性和载流子超快动力学,对于优化GaA......
第五代移动通信(5G,5th Generation Mobile Communication)自2019年起已经逐渐开始商用化,新一代移动通信时代已经来临了。其中,以......
采用0.5 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款0.1～2.0 GHz的高线性度低噪声放大器芯片.针对偏置电压随电源波动的问题,提出一种新型的具有......
研究了不同厚度GaAs的通孔工艺,在以GaAs为衬底的加工工艺中,通孔工艺是GaAs的重要工艺,直接影响着器件的性能.阐述了目前GaAs厚度......
设计了一种用于850 nm GaAs基VCSEL的高折射率对比度亚波长光栅（HCG），整体结构采用GaAs材料体系，包含光栅层及为缓解其应力问题而设计......
采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度......
利用金辅助的金属氧化物化学汽相沉积法(MOCVD)在汽液固(VLS)生长机制下GaAs (111) B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生长温度......
针对532 nm纳秒单脉冲激光辐照单晶硅、砷化镓(GaAs)太阳能电池的损伤效应，结合电池的结构和等效电路，分析了纳秒单脉冲激光对两种太......
运用时域太赫兹波谱法,低温(10 K)高电场下本征砷化镓中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹波被准确地测量出来。从样品中......
报道以厚400μm、(100)向的砷化镓替代染料为锁模元件的全固态被动锁模Nd:YAG激光器。锁模脉冲宽度为16ps,单脉冲平均能量10μJ,锁......
利用半导体激光器作为触发源，对砷化镓光导开关进行了实验研究，重点研究了载流子累加效应对开关输出特性的影响。实验结果表明，光导开......
镓(Ga)是青灰色柔软金属,熔点29.8℃,沸点1700℃。镓及其化合物主要用于制造高温温度计,易溶合金、电工器材、半导体和医药工业等......
报道用一块砷化镓基片兼作激光腔镜、光导开关和储能电容，制作千伏级纳秒脉冲发生器的实验结果。对所介绍的三功能元件的光学和电子......
为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静电放电失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表现为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果......
研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝......
１概述第１０届磷化铟及相关材料国际研讨会（ＴｅｎｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＩｎｄｉｕｍＰｈｏｓｐｈｉｄｅａｎｄＲｅｌａｔｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓＩｎＰＲＭ＇９８）于１９９８年５月１１日至１６日在日本科学城筑波召开。这次会议由...
1 Overview The Tenth International Co......
<正> 目前市场应用的最主要的半导体材料是单晶硅,约占IC电路的95％。但据理论分析硅集成电路线宽的极限尺寸是0.035-0.05rum,无法满......
介绍几种新颖的超小型1GHz～26Hz高性能11.25°GaAs微波/毫米波集成电路移相器的设计、制造和性能。这几种移相器可以兼容不同的模拟......
据《科学时报》2005年6月9日报道。中科院半导体所的科技人员重点研究和解决了大直径半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶从研究到生产的重......
砷化镓光导开关具有响应速度快、转换率较高等特点,为它应用于研究高速器件的性能等方面提供了可能。通过阐述该领域理论和实验的......
据报道,全球首座以6英寸晶圆提供砷化镓(GaAs)微波通讯芯片(MMIC)专业代工服务的台湾稳懋半导体股份有限公司,于今(15)日正式宣布......
美国伊利诺大学(University of Illinois)实验室开发出一种以金属为蚀刻催化剂的砷化镓晶圆蚀刻法,这种蚀刻方法,其制造速度较传统......
采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的......
研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射能量。从砷化镓光导开关中电流丝的非平衡载流子复合出发,导出了电流丝的自发辐射......
Skyworks Solutions公司通过其在加利福利亚州的子公司发布了一款低损耗、高性能宽带DC-6GHz气密性砷化镓IC SPST无反射开关。ISO1......
Custom MMIC公司将于5月19日到21日在美国亚利桑那州菲尼克斯市举行的2015国际微波研讨会上发布几款新型砷化镓和氮化镓MMIC放大器......
