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本文描述SOI材料制备工序中,注氧机对SOI材料在离子注入过程中产生粒子污染,影响其顶层硅的性能,结合SIMS测试和ICP-ABS测试的结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面分析粒子污染的机理,并提出相应的解决措施.
氧离子注入机中粒子污染分析
【摘 要】
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本文描述SOI材料制备工序中,注氧机对SOI材料在离子注入过程中产生粒子污染,影响其顶层硅的性能,结合SIMS测试和ICP-ABS测试的结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面分析粒子污染的机理,并提出相应的解决措施.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所(长沙)
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
【发表日期】
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2003年2期
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