【摘 要】
：
本文首次详细研究在介质隔离多栅纳米器件(FOI-FinFET)器件上源漏全金属化工艺.采用Ni (Pt)金属将源漏形成全金属化的fin,使器件接触电阻分别减小10倍和1倍,同时没有带来明显漏电流增加.通过采用全金属化源漏工艺,使20 nm栅长FOI FinFET器件电流增加大约30倍,N型和P型开态电流分别达到547 μA/μm和324 μA/μm.该器件比传统FinFET器件亚阈值摆幅、亚阈值斜
【机 构】
：
北京有色金属研究总院智能传感功能材料重点实验室
论文部分内容阅读
本文首次详细研究在介质隔离多栅纳米器件(FOI-FinFET)器件上源漏全金属化工艺.采用Ni (Pt)金属将源漏形成全金属化的fin,使器件接触电阻分别减小10倍和1倍,同时没有带来明显漏电流增加.通过采用全金属化源漏工艺,使20 nm栅长FOI FinFET器件电流增加大约30倍,N型和P型开态电流分别达到547 μA/μm和324 μA/μm.该器件比传统FinFET器件亚阈值摆幅、亚阈值斜率和漏电流分别减小了47％、32％和40倍.同时,本文还证明全金属化源漏对fin沟道产生张应力,这有助于提高NMOS器件的迁移率.采用肖特基源漏技术可以使PMOS器件驱动性能提升至486μA/μm.
其他文献
本文首次证实了阳离子基阻变存储器中能够造成复位失效的negative-SET现象是由于导电细丝的过生长造成的。而且首次提出了用石墨烯作为离子阻挡层从根本上解决这种negative-SET现象。另外，这种基于石墨烯插层的阻变器件表现出较好的阻变性能。这些发现有助于更加充分的理解阳离子基阻变存储器的内部机理，并且对以后器件的进一步优化提供指导。
Abstract: Overshoot stress (stimulating the actual IC operating condition) on an ultra-thin HfO2 (EOT～0.8 nm) high-κ layer is investigated, which reveals that overshoot is of great importance to high-
本文采用多次沉积-退火技术制造后栅工艺高k金属栅MOSFET,以达到降低栅泄漏电流以及提高器件性能的目的。我们系统地研究了经过多次沉积-退火工艺后的PMOS的电学特性以及时变击穿特性,其中多次沉积退火工艺条件包括沉积/退火次数,每次沉积/退火的退火时间以及总退火时间。实验结果显示,增加沉积/退火次数(从1次增加至2次)及每次沉积/退火的退火时间(从15s增加至30s)使栅泄漏电流增加约一个数量级,
射频系统封装(RF SiP)技术对于未来无线通信系统的小型化来说,是一项非常具有吸引性的技术. 因为这项技术可以让无线系统变得更小,更智能,更轻巧,更便宜,更可靠.这篇文章重点展示了一款基于刚柔性基板弯折形成三维堆叠的RF SiP设计和实现,这项设计实现了一款微基站射频前端部分的系统集成.这款RF SiP最终封装尺寸为5cm*5.25cm*0.8cm,其中集成了超过33颗有源芯片和超过600颗无源
我们基于渗流理论和福斯特共振转移率建立了有机太阳能电池激子扩散长度的物理模型。我们的模型与蒙特卡洛模拟结果经行比对，被不同温度下的实验数据所验证。材料的无序度和温度特性在模型中得到很好的描述。基于模型，激子浓度与扩散长度的关系被讨论，具体是入射光强较大时会增加激子扩散长度。另外，指数分布的态密度能在低激子浓度下替代高斯分布，从而得到解析的扩散长度模型。
晶圆键合技术是异质结构制造,3D集成,封装以及层转移(如SOI)中的关键技术,同时在MEMS当中也有重要地位。传统的晶圆键合方法如热压键合法,通常需要比较高的键合温度。但由于热膨胀系数不匹配和后续工艺的要求,键合温度不宜超过200摄氏度。为了促进MEMS键合工艺的发展和更多的应用,提出了一种使用旋涂水玻璃粘结剂层和点压键合技术的混合晶圆键合方法。研究了水玻璃键合的机理,并讨论了本键合方法中最重要的
全景拼接得到的图像其边界往往是不规则的，绝大多数全景拼接算法选择直接对全景图像进行裁剪，以获得拥有矩形边界的标准图像，但这会丢失部分图像中的关键信息并以减小全景图像的视野为代价。针对以上问题，提出一种基于亚像素缝雕刻的图像整形算法。首先采用三次样条插值和图像修复算法对图像的不规则边界进行平滑；然后以图像当前边界和矩形目标边界位置之差的归一化值为权重，在0～1个像素范围内拉伸或压缩最优缝上的每一个像
本文研究了阻变存储器Ti/ZrO2/Pt转变时间与初始阻态的统计关系。器件采用脉宽可调的测试方法能够显著的提高转变的均一性并且能够准确地获取转变时间。韦伯分布用于描述转变时间和初始阻态之间的统计关系，其中转变时间的韦伯斜率和尺寸因子都随初始阻态呈对数增加关系。两者的关系能够有效地提高转变均一性并且能够优化转变速度和干扰之间的折中。基于cell的统计分析模型用于解释两者之间的关系，可以应用于后续的统
在空间辐射环境中,存在着大量的高能粒子,比如：质子,电子及重离子等。高能粒子会改变MOSFET中氧化层特性继而产生辐射效应,这些辐射效应将严重影响空间电子系统的可靠性。而面相空间应用的电子器件,它们的总剂量效应也是研究的重点。磁随机存储器MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory)是一种新型的非易失性存储器,相比于传统型存储器具有高速度、高集成度、低功
针对二进制偏移载波(Binary Offset Carrier,BOC)调制信号自相关多峰特性引起的信号捕获模糊性问题,提出了一种子相关相乘边峰消除技术。根据BOC子相关函数的特性,通过将不同子相关函数相乘获得边峰消除能力,并且为了充分利用接收信号,进一步提高捕获性能,提出了相应的优化算法。分析对比了提出算法的实现复杂度和基于恒虚警率准则的峰值发现概率,对GalileoE1C中频采样信号的处理结果