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采用基于密度泛函理论的全势缀加平面波和局域轨道方法,对BiBO3(B=Co,Ni)的结构和电子结构进行了计算.计算表明,BiB03(B=Co,Ni)的反铁磁结构优于其它可能结构,其中BiCoO3为C-AFM有序,而BiNiO3是G-AFM有序.多铁磁电材料BiB03(B=Co,Ni)中Bi-O和B-O轨道杂化对于铁电和铁磁耦合起重要的作用.理论计算预测了BiCoO3C-AFM有序绝缘基态带隙是2.19eV,BiNiO3G-AFM有序绝缘基态带隙是0.64eV.