【摘 要】
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One-dimensional InAs nanowires(NWs)have been widely researched in recent years.Features of high mobility and narrow bandgap reveal its great potential of optoelectronics applications.However,most repo
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
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One-dimensional InAs nanowires(NWs)have been widely researched in recent years.Features of high mobility and narrow bandgap reveal its great potential of optoelectronics applications.However,most reported work about InAs NW-based photodetectors is limited to the visible waveband.Although some work shows certain response for near-infrared light,the problems of large dark current and small light on/off ratio are unsolved,thus significantly restricting the detectivity.
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