【摘 要】
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氧化锌(ZnO)因其高的室温激子激活能成为了紫外光电器件中极具潜力的半导体材料.ZnO 基发光二极管(LED)和激光器也得到了广泛研究.通常，沿c 方向生长的ZnO 基LED 器件存在自发极化和压电极化导致量子效率降低的问题，使LED 沿非极性方向外延生长则可以消除此问题.利用金属有机物化学气相沉积和脉冲激光沉积技术，我们首次在r 面蓝宝石衬底上制备出的非极性a 面n-ZnO/p-AlGaN 异质
【机 构】
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华中科技大学武汉光电国家实验室,湖北省武汉市洪山区珞喻路1037 号,430074
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氧化锌(ZnO)因其高的室温激子激活能成为了紫外光电器件中极具潜力的半导体材料.ZnO 基发光二极管(LED)和激光器也得到了广泛研究.通常，沿c 方向生长的ZnO 基LED 器件存在自发极化和压电极化导致量子效率降低的问题，使LED 沿非极性方向外延生长则可以消除此问题.利用金属有机物化学气相沉积和脉冲激光沉积技术，我们首次在r 面蓝宝石衬底上制备出的非极性a 面n-ZnO/p-AlGaN 异质结LED 芯片，同时观察到反向雪崩发光特性.
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