论文部分内容阅读
本文总结了强耦合InAs量子点电学特性和GaAs间隔层厚度的关系,用量子点间的非共振隧穿模型给出了完美的解释,并提出了生长柱形量子点的方法.
多层强耦合量子点的研究现状
【摘 要】
：
本文总结了强耦合InAs量子点电学特性和GaAs间隔层厚度的关系,用量子点间的非共振隧穿模型给出了完美的解释,并提出了生长柱形量子点的方法.
【机 构】
：
中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京) 兰州大学物理科学与技术学院(兰州)
【出 处】
：
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2002年3期
其他文献
介绍了北京正负电子对撞机国家重点工程中BESⅢ Slow Control在全新北京谱仪中的重要性,并通过在三个探测器:量能器EMC、漂移室MDC、Muon RPC的实验模型中的具体实例应用,介绍了慢控制主要采用的一总线技术.
介绍了用于中国科学院近代物理研究所RIBLL终端LASCAR闪烁体阵列探测器和RIBLL2中子墙、TOF墙的多路光电倍增管高压控制系统组成和结构特点.
短寿命裂变产物Cs是测量裂变燃耗的重要核素,其半衰期为33.41min,经β-衰变到Ba,共发射88条γ射线.根据母核衰变到子核基态上各种射线强度之和等于母核衰变活度的强度平衡法原理,用已标定好的峰效率曲线的HPGeγ谱仪准确测定了138Cs的γ射线发射概率,P(1435.86keV)的测定结果为0.7599±0.0032.
导爆索缺陷检测是中子照相的重要应用领域之一,中子束能谱、滤束材料及中子散射等因素都会影响导爆索图像对比度.采用Monte Carlo方法计算了这些因素的影响,并给出了定量的结果,计算采用MCNP/4B软件.
本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,掺杂浓度为3×10cm.为形成良好的欧姆接触,源漏区采用高掺杂.栅极为金属材料Au,Au与GaN形成肖特基接触.源漏区长度为0.4μm,栅极长度为0.1μm.通过模拟得到了漏极电流I与漏源电压的V输出特性曲线.在V=15V,V=0V的条件下漏极电流I
利用分子束外延技术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,可用于研制8-12μm大气窗口的红外探测器.实验上观测到随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增加,其红外吸收峯蓝移,而PL峯红移和半峯宽变窄.用量子点间的耦合作用随InGaAs层的厚度的增加而增强的观点对其机理给予了解释.
GaN是一种很稳定的化合物半导体材料,其化学的和热的稳定性材料性质尤其有利于制造高温器件.本文综述了优良的宽度半导体GaN微电子器件的优点性能及其新进展.
本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.
本文通过实验,对影响蓝宝石单晶衬底片的质量参数进行了进一步的研究,对单晶控制,切割技术,研磨工艺和抛光工艺进行改进,以期取得更好实用效果.
采用Shubnikov-de Hass(SdH)振荡测试技术研究了GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的磁输运特性,并在窄带隙和掺杂浓度高的材料中发现了零场自旋分裂现象.