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缺陷是影响稀磁半导体(DMS)铁磁性的重要因素.本文采用溶胶-凝胶方法制备Fe掺杂TiO2薄膜,600℃真空烧结.X射线衍射发现样品呈现单一锐钛矿相,没有发现与Fe有关的其他相和磁性颗粒.X射线电子能谱显示样品中Fe以三价离子形式存在.O离子以两种形式存在:Ti-O和H-O,说明真空条件烧结在样品表面产生了缺陷.电学性质测试发现电阻呈现半导体特性.磁性测试表明Fe掺杂TiO2薄膜具有室温铁磁性,ZFC/FC测试排除磁性颗粒存在.实验结果表明Fe掺杂锐钛矿相TiO2薄膜样品,缺陷的存在有利于Fe离子之间的铁磁交换作用.