论文部分内容阅读
高掺镁铌酸锂晶体以其比同成分晶体高两个量级的抗光折变能力曾在国际上引起轰动,被誉为“中国之星”,可以用于波长转换、调制器、Q开关、参量振荡等方面。但是,无论是以二元同成分配比还是以化学计量比配比,长出的高掺镁铌酸锂晶体的光学均匀性有待进一步提高[1,2]。
三元同成分掺镁铌酸锂晶体的生长和性能研究
【摘 要】
：
高掺镁铌酸锂晶体以其比同成分晶体高两个量级的抗光折变能力曾在国际上引起轰动,被誉为“中国之星”,可以用于波长转换、调制器、Q开关、参量振荡等方面。但是,无论是以
【机 构】
：
南开大学物理科学学院
【出 处】
：
第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
：
2015年期
其他文献
Pb(Mg1/3Nb2/3)-xPbTiO3(PMN-xPT)单晶因其优异的压电、机电耦合性能而被广泛应用和研究。目前为止，对PMN-xPT体系的研究多集中在三方相和准同型相界(MPB)组分附近，针对四
以超低含量(小于0.5at.％)的LiBiO3(LB)为助熔剂、采用传统的陶瓷工艺(无籽固相生长技术)制备出较大的铌酸钾钠(K0.5Na0.5NbO3,KNN)单晶,其生长工艺简单、易重复.
溴化铈（CeBr3）晶体是继铈离子激活的卤化氯化镧（铈）（LaCl3:Ce）和溴化镧（铈）（LaBr3:Ce）之后发现发现一种新型无机闪烁晶体,其兼具高光输出、快的时间响应、好的时间分辨和低本底等特性,
氟化镁(分子式：MgF2)晶体在紫外、可见和近红外波段具有良好的透过性能、荧光辐射小、双折射等性能，是紫外光电探测器、紫外激光器和紫外光学系统的理想材料。
本文通过光学浮区法生长了Yb3+离子掺杂的Lu1-xYxAG混晶.生长采用[111]方向的YAG单晶为籽晶,在Ar保护气氛中进行,生长速度为6-10mm/min.所得晶体直径约5mm,抛光后的晶片
氢化物气相外延法(HVPE)是最有前景的制备自支撑氮化镓(GaN)的方法,具有生长速度快,成本低,生长的GaN质量好等优点。目前,HVPE法生长GaN主要采用异质衬底,如Al2O3、SiC和
锆钛锡酸铅镧(PLZST)反铁电材料，具有低电滞损耗，巨大的电致应变效应和短的响应时间的特点，使其在微位移致动器、智能材料等领域有广阔的应用前景[1]。
(K,Na)NbO3(KNN)基压电材料因其较高的压电性能和居里温度而备受关注。本课题组前期工作中成功利用顶部籽晶提拉法生长出了不同组分的KNN基单晶,如(K,Na)(Nb,Ta)O3(KNNT)
随着BaF2光学晶体在军事领域以及国民经济建设中的应用,对于BaF2光学晶体的要求越来越高,BaF2光学晶体正向着优质大口径(>Φ200mm)、高单晶率的趋势发展。